Результат пошуку "fdb3632." : 5
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 3
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 42
В кошику
од. на суму грн.
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDB3632 | ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 310W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDB3632 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDB3632 | ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
FDB3632 | ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 310W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 22mΩ Mounting: SMD Gate charge: 110nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
![]() |
FDB3632 | ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
FDB3632 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 288.15 грн |
10+ | 204.18 грн |
100+ | 149.84 грн |
500+ | 118.50 грн |
1000+ | 108.68 грн |
FDB3632 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 273.72 грн |
10+ | 194.01 грн |
25+ | 182.73 грн |
100+ | 134.87 грн |
FDB3632 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
42+ | 294.77 грн |
FDB3632 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
FDB3632 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.