Результат пошуку "fdb3632." : 6

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+247.36 грн
10+186.54 грн
25+185.15 грн
100+143.83 грн
250+132.10 грн
500+112.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+230.87 грн
70+174.10 грн
71+172.73 грн
100+134.24 грн
250+123.29 грн
500+105.07 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+120.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+129.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+247.36 грн
10+186.54 грн
25+185.15 грн
100+143.83 грн
250+132.10 грн
500+112.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+230.87 грн
70+174.10 грн
71+172.73 грн
100+134.24 грн
250+123.29 грн
500+105.07 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+120.72 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+129.88 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDB3632
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.