FDB3632. ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3632. - MOSFET, FULL REEL
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung Pd: 310
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 310
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009
SVHC: Lead
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Технічний опис FDB3632. ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3632. - MOSFET, FULL REEL, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 80, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - Unlimited, Verlustleistung Pd: 310, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, Verlustleistung: 310, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: N Channel, Kanaltyp: N Channel, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.009, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009, SVHC: Lead.


