Результат пошуку "fdb3632." : 6

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+286.15 грн
59+207.34 грн
64+191.31 грн
100+140.95 грн
250+129.20 грн
500+105.83 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+115.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ONSEMI 2304074.pdf Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.49 грн
10+210.36 грн
100+154.43 грн
500+116.27 грн
1000+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.71 грн
10+192.53 грн
25+177.65 грн
100+130.88 грн
250+119.97 грн
500+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+286.15 грн
59+207.34 грн
64+191.31 грн
100+140.95 грн
250+129.20 грн
500+105.83 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+115.67 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 2304074.pdf
FDB3632
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0075 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+285.49 грн
10+210.36 грн
100+154.43 грн
500+116.27 грн
1000+104.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+265.71 грн
10+192.53 грн
25+177.65 грн
100+130.88 грн
250+119.97 грн
500+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDE33690743E28&compId=FDB3632.pdf?ci_sign=b3680f3107d38a415f18e5077e2c8328a1368657
FDB3632
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 fdp3632-d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.