Продукція > ONSEMI > FDB3632
FDB3632

FDB3632 onsemi

FDP3632-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+101.14 грн
1600+92.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB3632 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB3632 за ціною від 133.50 грн до 299.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+199.70 грн
100+182.55 грн
250+172.52 грн
800+159.49 грн
1600+142.76 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ON Semiconductor fdp3632d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
350+229.80 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 onsemi FDP3632-D.PDF Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.22 грн
10+189.56 грн
100+133.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 onsemi FDP3632-D.PDF MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 10562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 onsemi / Fairchild FDP3632-D.PDF MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 6936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 ONSEMI 2304074.pdf Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 fdp3632d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
71+199.70 грн
100+182.55 грн
250+172.52 грн
800+159.49 грн
1600+142.76 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 fdp3632d.pdf
FDB3632
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
350+229.80 грн
Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDP3632-D.PDF
FDB3632
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+299.22 грн
10+189.56 грн
100+133.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDP3632-D.PDF
FDB3632
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 10562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDP3632-D.PDF
FDB3632
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 6936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 2304074.pdf
FDB3632
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.