Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDB3632
FDB3632

FDB3632 ON Semiconductor

fdp3632-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+119.21 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB3632 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB3632 за ціною від 92.73 грн до 330.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB3632 FDB3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+126.80 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+148.80 грн
1600+147.79 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : onsemi / Fairchild fdp3632-d.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 6936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.93 грн
10+190.03 грн
25+154.09 грн
100+119.92 грн
500+110.16 грн
800+92.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : onsemi fdp3632-d.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 10562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+288.77 грн
10+187.63 грн
100+115.04 грн
500+96.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : ONSEMI 2304074.pdf Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+290.40 грн
10+195.23 грн
100+150.49 грн
500+131.43 грн
1000+110.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+308.38 грн
63+206.08 грн
64+204.01 грн
100+151.51 грн
250+139.44 грн
500+111.96 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+330.41 грн
10+220.80 грн
25+218.58 грн
100+162.33 грн
250+149.40 грн
500+119.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : onsemi fdp3632-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : onsemi fdp3632-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : ONSEMI FDB3632.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 22mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 80A
Power dissipation: 310W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.