Продукція > ONSEMI > FDB3632
FDB3632

FDB3632 onsemi

fdp3632-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+107.79 грн
1600+98.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB3632 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB3632 за ціною від 104.71 грн до 326.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB3632 FDB3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+117.86 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+121.24 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+125.35 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+147.11 грн
1600+146.11 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : onsemi / Fairchild fdp3632-d.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
на замовлення 6936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.75 грн
10+214.57 грн
25+173.98 грн
100+135.41 грн
500+124.39 грн
800+104.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : onsemi fdp3632-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 5257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.06 грн
10+188.86 грн
100+132.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
42+304.87 грн
63+203.73 грн
64+201.69 грн
100+149.78 грн
250+137.85 грн
500+110.68 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : ONSEMI 2304074.pdf Description: ONSEMI - FDB3632 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 9000 µohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+315.28 грн
10+211.95 грн
100+163.38 грн
500+142.69 грн
1000+119.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+326.65 грн
10+218.28 грн
25+216.09 грн
100+160.48 грн
250+147.70 грн
500+118.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3632 FDB3632 Виробник : ON Semiconductor fdp3632-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.