Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDB3652 VBSemi
FDB3652

FDB3652 VBSemi

fdb3652-datasheet.pdf
Код товару: 155755
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: VBSemi
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
Монтаж: SMD
у наявності: 14 шт
  • 4 шт - склад
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна
1+75.00 грн
10+69.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDB3652 за ціною від 66.08 грн до 206.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDB3652 FDB3652 onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 ONSEMI FDB3652.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+186.62 грн
5+138.46 грн
10+121.05 грн
25+101.15 грн
100+92.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.90 грн
10+128.94 грн
100+89.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 fdp3652-d.pdf
FDB3652
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+66.08 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652.pdf
FDB3652
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+186.62 грн
5+138.46 грн
10+121.05 грн
25+101.15 грн
100+92.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 fdp3652-d.pdf
FDB3652
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+206.90 грн
10+128.94 грн
100+89.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.