Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDB3652 VBSemi
FDB3652

FDB3652 VBSemi

fdb3652-datasheet.pdf
Код товару: 155755
Виробник: VBSemi
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
Монтаж: SMD
у наявності 18 шт:
18 шт - склад
Кількість Ціна без ПДВ
1+75 грн
10+ 69 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDB3652 за ціною від 65.96 грн до 186.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB3652 FDB3652 Виробник : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
FDB3652 FDB3652 Виробник : ONSEMI FDB3652.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+137.03 грн
5+ 112.94 грн
10+ 91.86 грн
27+ 87.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB3652 FDB3652 Виробник : ONSEMI FDB3652.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 43mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 53nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.44 грн
5+ 140.74 грн
10+ 110.23 грн
27+ 104.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB3652 FDB3652 Виробник : ONSEMI 2304715.pdf Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+186.49 грн
10+ 139.46 грн
100+ 110.27 грн
500+ 88.09 грн
800+ 67.48 грн
1600+ 65.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDB3652 FDB3652 Виробник : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3652 FDB3652 Виробник : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3652 FDB3652 Виробник : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3652 FDB3652 Виробник : ON Semiconductor 3672715905115303fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
FDB3652 FDB3652 Виробник : onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB3652 FDB3652 Виробник : onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товар відсутній
FDB3652 FDB3652 Виробник : onsemi / Fairchild FDP3652_D-2312532.pdf MOSFET N-Channel PowerTrench
товар відсутній

З цим товаром купують

T157-52 сердечник
Код товару: 23608		 T.pdf
T157-52 сердечник
Виробник: Micrometals
Трансформатори, мережеві фільтри, силові дроселі > Сердечники, каркаси, скоби (для моткових виробів)
Група: Сердечник
Серія: С
Тип: Кільце
Типорозмір: 39,9/24,1/14,5
Опис: Al=99nH, Ae=1.06cm2, V=10.7cm3
Матеріал: Розпорошене залізо
Проникність, µi: 75 µi
у наявності: 8 шт
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
Кількість Ціна без ПДВ
1+53 грн
10+ 46 грн
22uF 50V EZV SMD sizeC (low imp.) (EZV220M50RC) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний)
Код товару: 23411		 EZV_070829.pdf
22uF 50V EZV SMD sizeC (low imp.) (EZV220M50RC) (електролітичний конденсатор SMD низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні SMD конденсатори
Ємність: 22 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EZV-SMD низькоімпедансні
Темп.діапазон: -40...+105°C
Типорозмір,габарити: SMD size C
Макс.пульс.струм: 165mA
у наявності: 2079 шт
1915 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
48 шт - РАДІОМАГ-Львів
18 шт - РАДІОМАГ-Харків
42 шт - РАДІОМАГ-Одеса
41 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
6+3.5 грн
10+ 2.8 грн
100+ 1.9 грн
1000+ 1.7 грн
Мінімальне замовлення: 6
UC3843BN (DIP-8, ST) PWM Controller
Код товару: 4077		 UC2842B,3B,4B,5B,3842B,3B,4B,5B.pdf
UC3843BN (DIP-8, ST) PWM Controller
Виробник: ST
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: DIP-8
Призначення і характеристики: PWM Controllers Von = 8.4В Vof = 7.6В шпаруватість 100% 0 + 70С 1A 8,2-30В 500kГц
Напруга вхідна, V: 30 V
Iвых., A: 1 А
Fosc, kHz: 700 kHz
Темп.діапазон: 0…+70°C
у наявності: 154 шт
109 шт - склад
24 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
3 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
2+14 грн
10+ 12.6 грн
100+ 11.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
2,2nF 1kV Z5V Z(-20/+80%) D<=6,5mm (HF3A222Z-L516BD-Hitano)
Код товару: 2382		 ClassII_070726.pdf
2,2nF 1kV Z5V Z(-20/+80%) D<=6,5mm (HF3A222Z-L516BD-Hitano)
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 2,2 nF
Номін.напруга: 1k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=5,8 mm
Part Number: HF3A222Z-L516B
у наявності: 3274 шт
2526 шт - склад
114 шт - РАДІОМАГ-Київ
260 шт - РАДІОМАГ-Львів
196 шт - РАДІОМАГ-Харків
178 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна без ПДВ
10+2 грн
12+ 1.7 грн
100+ 1.4 грн
1000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 10
220uF 50V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Код товару: 2008		 EXR_080421.pdf
220uF 50V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR221M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор низькоімпедансний)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 220 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: EXR
Тип: низькоімпедансні
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 10х16mm
Строк життя: 5000 годин
очікується: 3000 шт
3000 шт - очікується 30.11.2024
Кількість Ціна без ПДВ
5+4.5 грн
10+ 4 грн
100+ 3.6 грн
1000+ 3.1 грн
Мінімальне замовлення: 5