Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDB3652 VBSemi
FDB3652

FDB3652 VBSemi

fdb3652-datasheet.pdf
Код товару: 155755
1 Додати до обраних Обраний товар

Виробник: VBSemi
Корпус: D2PAK (TO-263)
Uds,V: 100 V
Idd,A: 61 A
Rds(on), Ohm: 0,016 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/41
Монтаж: SMD
у наявності 18 шт:
8 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
Кількість Ціна
1+75.00 грн
10+69.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDB3652 за ціною від 79.99 грн до 228.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB3652 FDB3652 Виробник : ON Semiconductor fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+80.70 грн
1600+79.99 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 Виробник : ON Semiconductor fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+86.59 грн
1600+85.83 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 Виробник : ONSEMI 2304715.pdf Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.49 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 Виробник : ONSEMI FDB3652.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 61A; 150W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 53nC
On-state resistance: 43mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 61A
Power dissipation: 150W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.90 грн
5+140.16 грн
10+122.53 грн
25+102.39 грн
100+93.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 Виробник : onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.43 грн
10+130.52 грн
100+90.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 Виробник : ONSEMI 2304715.pdf Description: ONSEMI - FDB3652 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.014 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+228.58 грн
10+148.05 грн
100+102.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 Виробник : ON Semiconductor fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 Виробник : ON Semiconductor fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 Виробник : ON Semiconductor fdp3652-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 Виробник : onsemi fdp3652-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 61A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3652 FDB3652 Виробник : onsemi / Fairchild 25F73BAA4419937182CE134120F34C856D5F480D4135085BCBAC7180912EA62F.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.