| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 217.68 грн |
| 10+ | 193.81 грн |
| 25+ | 159.50 грн |
| 100+ | 135.42 грн |
| 500+ | 112.10 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Мінімальна партія:
2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB3672-F085 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDB3672-F085 за ціною від 95.80 грн до 219.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDB3672-F085 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
FDB3672_F085 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK |
на замовлення 10213200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
FDB3672_F085 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK |
на замовлення 1021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
FDB3672_F085 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDB3672-F085 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 219.80 грн |
| 10+ | 137.77 грн |
| 100+ | 95.80 грн |
| FDB3672_F085 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 10213200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDB3672_F085 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDB3672_F085 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




