Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FDB3672-F085
FDB3672-F085

FDB3672-F085 onsemi / Fairchild

FDB3672_F085_D-1806539.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 100V 44A N-Channel PowerTrench
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.34 грн
10+189.05 грн
25+155.59 грн
100+132.10 грн
500+109.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB3672-F085 onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDB3672-F085 за ціною від 103.27 грн до 236.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB3672-F085 FDB3672-F085 Виробник : onsemi fdb3672_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.58 грн
10+148.54 грн
100+103.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672_F085 FDB3672_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDB3672_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 10213200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672_F085 FDB3672_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDB3672_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672_F085 FDB3672_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDB3672_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB3672-F085 FDB3672-F085 Виробник : onsemi fdb3672_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 7.2A/44A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.