Продукція > ONSEMI > FDB44N25TM
FDB44N25TM

FDB44N25TM onsemi

FDB44N25-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+78.81 грн
1600+70.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB44N25TM onsemi

Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V, Power Dissipation (Max): 307W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB44N25TM за ціною від 105.23 грн до 241.00 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI FDB44N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 307W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
на замовлення 533 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+167.48 грн
10+131.83 грн
20+120.22 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM onsemi FDB44N25-D.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 10324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.00 грн
10+151.18 грн
100+105.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM onsemi FDB44N25-D.pdf MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM onsemi / Fairchild FDB44N25-D.pdf MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25.pdf
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Gate charge: 61nC
On-state resistance: 69mΩ
Drain current: 26.4A
Gate-source voltage: ±30V
Drain-source voltage: 250V
Power dissipation: 307W
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
на замовлення 533 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+167.48 грн
10+131.83 грн
20+120.22 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25-D.pdf
FDB44N25TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 10324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.00 грн
10+151.18 грн
100+105.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25-D.pdf
FDB44N25TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25-D.pdf
FDB44N25TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.