Продукція > ONSEMI > FDB44N25TM
FDB44N25TM

FDB44N25TM onsemi

FDB44N25-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+83.24 грн
1600+75.87 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB44N25TM onsemi

Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.069 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 307W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm.

Інші пропозиції FDB44N25TM за ціною від 107.31 грн до 260.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI FDB44N25.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: UniFET™
Drain current: 26.4A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 533 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+171.38 грн
10+134.90 грн
20+123.02 грн
100+107.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM ON Semiconductor fdb44n25-d.pdf Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
785+196.84 грн
Мінімальне замовлення: 785 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM onsemi FDB44N25-D.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 9393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.87 грн
10+163.94 грн
50+126.43 грн
100+107.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM onsemi FDB44N25-D.pdf MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM onsemi / Fairchild FDB44N25-D.pdf MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI ONSM-S-A0003584100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.069 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 307W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25TM ONSEMI ONSM-S-A0003584100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.069 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 307W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25.pdf
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK
Drain-source voltage: 250V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK
On-state resistance: 69mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 307W
Gate charge: 61nC
Polarisation: unipolar
Technology: UniFET™
Drain current: 26.4A
Kind of channel: enhancement
на замовлення 533 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+171.38 грн
10+134.90 грн
20+123.02 грн
100+107.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM fdb44n25-d.pdf
FDB44N25TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
785+196.84 грн
Мінімальне замовлення: 785 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25-D.pdf
FDB44N25TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 9393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.87 грн
10+163.94 грн
50+126.43 грн
100+107.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25-D.pdf
FDB44N25TM
Виробник: onsemi
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 4067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM FDB44N25-D.pdf
FDB44N25TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET
на замовлення 4595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM ONSM-S-A0003584100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.069 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 307W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB44N25TM ONSM-S-A0003584100-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDB44N25TM
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.069 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 307W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.