FDB44N25TM onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 307W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 76.03 грн |
| 1600+ | 71.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB44N25TM onsemi
Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.058 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 44A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 307W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDB44N25TM за ціною від 77.65 грн до 248.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB44N25TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.058 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 307W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDB44N25TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDB44N25TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 250V N-Ch MOSFET |
на замовлення 6394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDB44N25TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 307W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V |
на замовлення 8752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
FDB44N25TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB44N25TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 44 A, 0.058 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 307W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 721 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
FDB44N25TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
|
|
FDB44N25TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FDB44N25TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 250V 44A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
FDB44N25TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK Gate charge: 61nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 250V Drain current: 26.4A On-state resistance: 69mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 307W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
FDB44N25TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 26.4A; 307W; D2PAK Gate charge: 61nC Technology: UniFET™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: 250V Drain current: 26.4A On-state resistance: 69mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 307W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |