Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDB52N20TM
FDB52N20TM

FDB52N20TM ON Semiconductor

3663487762000132fdb52n20.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+84.85 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB52N20TM ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 357, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції FDB52N20TM за ціною від 57.71 грн до 204.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584065-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+148.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : onsemi FDB52N20-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.69 грн
10+130.96 грн
100+95.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : onsemi / Fairchild FDB52N20_D-2312151.pdf MOSFETs 200V N-Ch MOSFET
на замовлення 15772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.09 грн
10+132.51 грн
100+89.54 грн
800+84.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : ONSEMI 1781225.pdf Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.041
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+204.18 грн
10+184.42 грн
100+148.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM Виробник : ON-Semicoductor FDB52N20-D.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM Виробник : ONSEMI FDB52N20-D.pdf FDB52N20TM SMD N channel transistors
на замовлення 657 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.69 грн
9+128.43 грн
23+121.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : ON Semiconductor 3663487762000132fdb52n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : ON Semiconductor 3663487762000132fdb52n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : ON Semiconductor 3663487762000132fdb52n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : onsemi FDB52N20-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.