Продукція > ONSEMI > FDB52N20TM
FDB52N20TM

FDB52N20TM onsemi

FDB52N20-D.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+75.89 грн
1600+72.00 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB52N20TM onsemi

Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 2Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDB52N20TM за ціною від 72.09 грн до 196.35 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : ON Semiconductor 3663487762000132fdb52n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+88.29 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : onsemi FDB52N20-D.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 11703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.65 грн
10+122.51 грн
100+97.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584065-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.041 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 357
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.041
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+154.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : onsemi / Fairchild FDB52N20-D.pdf MOSFETs 200V N-Ch MOSFET
на замовлення 10350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.04 грн
10+132.61 грн
100+91.64 грн
500+88.59 грн
800+72.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDEA43EA443E28&compId=FDB52N20.pdf?ci_sign=d43ba8033692a45b011f90f2143d2d3cb4d93be8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.63 грн
5+139.21 грн
9+111.37 грн
23+105.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584065-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDB52N20TM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 52 A, 0.049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.049ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+184.19 грн
10+149.92 грн
100+118.22 грн
500+100.23 грн
1000+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECDEA43EA443E28&compId=FDB52N20.pdf?ci_sign=d43ba8033692a45b011f90f2143d2d3cb4d93be8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 52A; 357W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 52A
Power dissipation: 357W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.35 грн
5+173.48 грн
9+133.64 грн
23+126.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM Виробник : ON-Semicoductor FDB52N20-D.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+105.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM Виробник : ON-Semicoductor FDB52N20-D.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+105.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM Виробник : ON-Semicoductor FDB52N20-D.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK FDB52N20TM TFDB52n20tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+105.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : ON Semiconductor 3663487762000132fdb52n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : ON Semiconductor 3663487762000132fdb52n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB52N20TM FDB52N20TM Виробник : ON Semiconductor 3663487762000132fdb52n20.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 52A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.