Продукція > ONSEMI > FDB5800
FDB5800

FDB5800 onsemi

fdb5800-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+101.58 грн
1600+96.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB5800 onsemi

Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 242W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDB5800 за ціною від 109.60 грн до 288.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB5800 FDB5800 Виробник : ON Semiconductor 4505545316799184fdb5800-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+109.60 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 FDB5800 Виробник : onsemi / Fairchild FDB5800_D-1806359.pdf MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET
на замовлення 5894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.02 грн
10+216.91 грн
25+184.95 грн
100+154.85 грн
500+129.17 грн
800+110.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 FDB5800 Виробник : onsemi fdb5800-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6625 pF @ 15 V
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+269.13 грн
10+180.50 грн
100+127.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 FDB5800 Виробник : ONSEMI 2304400.pdf Description: ONSEMI - FDB5800 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0046 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+288.15 грн
10+200.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 Виробник : ONSEMI fdb5800-d.pdf FDB5800 SMD N channel transistors
на замовлення 704 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.92 грн
7+171.55 грн
18+161.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800 Виробник : On Semiconductor fdb5800-d.pdf MOSFET N-Channel 60V 14A (Ta), 80A (Tc) 242W (Tc) Surface Mount D2PAK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB5800
Код товару: 176853
Додати до обраних Обраний товар

fdb5800-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.