Інші пропозиції FDB6670AL за ціною від 81.04 грн до 81.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB6670AL | Виробник : Fairchild Semiconductor |
 Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V |
на замовлення 52339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
| FDB6670AL | Виробник : FAIRCHILD |
07+ TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
FDB6670AL | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V |
товару немає в наявності |
|||||
 |
FDB6670AL | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel PowerTrench |
товару немає в наявності |