FDB6670AL Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V
на замовлення 91766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 278+ | 70.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB6670AL Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDB6670AL за ціною від 78.15 грн до 78.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDB6670AL | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB6670AL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 91766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
| FDB6670AL | Виробник : FAI |
04+ |
на замовлення 380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| FDB6670AL | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| FDB6670AL | Виробник : FAIRCHILD |
07+ TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| FDB6670AL | Виробник : FAIRCHILD |
TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| FDB6670AL | Виробник : FAIRCHILD |
TO263 |
на замовлення 10135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| FDB6670AL | Виробник : FSC |
09+ |
на замовлення 2159 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
|
FDB6670AL Код товару: 150683 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||
 |
FDB6670AL | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
FDB6670AL | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 15 V |
товар відсутній |
|||||
 |
FDB6670AL | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel PowerTrench |
товар відсутній |