
FDB6690S Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V
на замовлення 1224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
398+ | 56.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB6690S Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 42A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDB6690S
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
FDB6690S | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDB6690S | Виробник : FAIRCHILD |
![]() ![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
FDB6690S | Виробник : fairchild |
![]() ![]() |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
FDB6690S | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1238 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |