Технічний опис FDB8030L FAIRCHILD
Description: 80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL,, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 187W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDB8030L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB8030L | Виробник : FAIRCHILD |
 TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDB8030L | Виробник : fairchild |
to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| FDB8030L | Виробник : FSC |
09+ |
на замовлення 818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
FDB8030L | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: 80A, 30V, 0.0035OHM, N-CHANNEL, Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FDB8030L | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Ch PowerTrench Logic Level |
товару немає в наявності |