Продукція > ONSEMI > FDB8441-F085
FDB8441-F085

FDB8441-F085 onsemi

fdb8441_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
211+109.57 грн
Мінімальне замовлення: 211
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB8441-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDB8441-F085 за ціною від 142.73 грн до 142.73 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB8441-F085 FDB8441-F085 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDB8441_F085-1119236.pdf MOSFET 40V N-Ch PowerTrench
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8441-F085 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584134-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FDB8441-F085 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+142.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8441-F085 FDB8441-F085 Виробник : onsemi fdb8441_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 280 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.