FDB8442 Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V
на замовлення 10541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 145+ | 137.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB8442 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 254W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FDB8442 за ціною від 150.92 грн до 169.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB8442 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FDB8442 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FDB8442 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FDB8442 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
FDB8442 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 629 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FDB8442 | Виробник : fairchild |
to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
 |
FDB8442 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 28A/80A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 254W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
FDB8442 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 40V N-Ch PowerTrench MOSFET |
товару немає в наявності |