
FDB8444_F085 Fairchild Semiconductor
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB8444_F085 Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDB8444_F085 за ціною від 74.84 грн до 74.84 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
FDB8444_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() |
на замовлення 778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
![]() |
FDB8444-F085 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
![]() |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
FDB8444-F085 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
FDB8444-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FDB8444-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FDB8444_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
FDB8444-F085 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 167W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |