Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDB8444
FDB8444

FDB8444 Fairchild Semiconductor

FAIRS24060-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
на замовлення 167648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
264+82.99 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB8444 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB8444 за ціною від 69.08 грн до 178.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB8444 FDB8444 Виробник : onsemi fdb8444-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.35 грн
10+130.12 грн
100+103.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444 FDB8444 Виробник : onsemi / Fairchild FDB8444_D-2312346.pdf MOSFET 40V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.53 грн
10+146.36 грн
100+101.52 грн
250+93.43 грн
500+83.13 грн
800+72.54 грн
2400+69.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444 Виробник : fairchild fdb8444-d.pdf FAIRS24060-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444 Виробник : fairchild fdb8444-d.pdf FAIRS24060-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444 FDB8444 Виробник : ON Semiconductor fdb8444jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 70A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8444 FDB8444 Виробник : onsemi fdb8444-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8035 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.