FDB86102LZ

FDB86102LZ Fairchild Semiconductor


ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
на замовлення 6918 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
345+66.42 грн
Мінімальне замовлення: 345
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB86102LZ Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V.

Інші пропозиції FDB86102LZ за ціною від 54.81 грн до 192.59 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB86102LZ FDB86102LZ Виробник : onsemi / Fairchild ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 100V NCHAN PwrTrench
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.23 грн
10+113.37 грн
100+70.63 грн
800+56.50 грн
2400+54.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ FDB86102LZ Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.59 грн
10+119.62 грн
100+81.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ Виробник : ON Semiconductor ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 705 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw FDB86102LZ SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ FDB86102LZ Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.