Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDB86102LZ
FDB86102LZ

FDB86102LZ Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
на замовлення 6918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
345+65.42 грн
Мінімальне замовлення: 345
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB86102LZ Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDB86102LZ за ціною від 47.03 грн до 189.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB86102LZ FDB86102LZ Виробник : onsemi / Fairchild ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFETs 100V NCHAN PwrTrench
на замовлення 3171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.10 грн
10+82.53 грн
100+63.54 грн
500+51.49 грн
800+47.17 грн
2400+47.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ FDB86102LZ Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.68 грн
10+117.82 грн
100+80.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ Виробник : ON Semiconductor ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 705 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ FDB86102LZ Виробник : onsemi ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1275 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 8.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86102LZ FDB86102LZ Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584116-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; Idm: 50A; 3.1W; D2PAK
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 30A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.