Продукція > ONSEMI > FDB86135
FDB86135

FDB86135 onsemi

FDB86135-D.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+224.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 800 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB86135 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB86135 за ціною від 247.92 грн до 638.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB86135 FDB86135 ON Semiconductor fdb86135-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+370.66 грн
10+348.83 грн
25+346.27 грн
100+312.39 грн
250+260.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 FDB86135 ON Semiconductor fdb86135-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+370.66 грн
41+348.83 грн
42+346.27 грн
100+312.39 грн
250+260.86 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 FDB86135 onsemi FDB86135-D.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+562.29 грн
10+368.26 грн
50+293.97 грн
100+253.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 FDB86135 onsemi FDB86135-D.pdf MOSFETs PWM PFC COMBO
на замовлення 13112 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+638.20 грн
10+443.22 грн
100+312.28 грн
500+277.17 грн
800+247.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 fdb86135-d.pdf
FDB86135
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+370.66 грн
10+348.83 грн
25+346.27 грн
100+312.39 грн
250+260.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 fdb86135-d.pdf
FDB86135
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+370.66 грн
41+348.83 грн
42+346.27 грн
100+312.39 грн
250+260.86 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 FDB86135-D.pdf
FDB86135
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+562.29 грн
10+368.26 грн
50+293.97 грн
100+253.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 FDB86135-D.pdf
FDB86135
Виробник: onsemi
MOSFETs PWM PFC COMBO
на замовлення 13112 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+638.20 грн
10+443.22 грн
100+312.28 грн
500+277.17 грн
800+247.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.