Продукція > ONSEMI > FDB86135
FDB86135

FDB86135 onsemi

fdb86135-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+225.93 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB86135 onsemi

Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDB86135 за ціною від 207.07 грн до 528.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB86135 FDB86135 Виробник : ON Semiconductor fdb86135-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+294.23 грн
10+276.90 грн
25+274.87 грн
100+247.98 грн
250+207.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 FDB86135 Виробник : ON Semiconductor fdb86135-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+316.87 грн
41+298.20 грн
42+296.01 грн
100+267.05 грн
250+223.00 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 FDB86135 Виробник : onsemi / Fairchild fdb86135-d.pdf MOSFETs PWM PFC COMBO
на замовлення 16493 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+339.49 грн
10+293.75 грн
25+254.71 грн
100+218.42 грн
250+217.70 грн
500+214.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 FDB86135 Виробник : onsemi fdb86135-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7295 pF @ 25 V
на замовлення 4678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.29 грн
10+344.16 грн
100+250.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 Виробник : ON Semiconductor fdb86135-d.pdf
на замовлення 640 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 FDB86135 Виробник : ON Semiconductor fdb86135-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 FDB86135 Виробник : ON Semiconductor 3663641590841922fdb86135.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 176A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 FDB86135 Виробник : ONSEMI 2265054.pdf Description: ONSEMI - FDB86135 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 0.003 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 227
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 227
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86135 Виробник : ONSEMI fdb86135-d.pdf FDB86135 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.