FDB86363-F085 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB86363-F085 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції FDB86363-F085 за ціною від 156.36 грн до 373.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDB86363-F085 | onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDB86363_F085 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDB86363_F085 | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDB86363-F085 | ONN |
|
на замовлення 765 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDB86363-F085 |
![]() |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 373.68 грн |
| 10+ | 331.90 грн |
| 100+ | 236.26 грн |
| 500+ | 201.13 грн |
| 800+ | 169.45 грн |
| 2400+ | 161.18 грн |
| 4800+ | 156.36 грн |
| FDB86363_F085 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDB86363_F085 |
![]() |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDB86363-F085 |
![]() |
Виробник: ONN
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



