FDB86363-F085 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 141.43 грн |
| 1000+ | 126.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB86363-F085 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Power Trench FDD, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції FDB86363-F085 за ціною від 126.32 грн до 398.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB86363-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 88800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDB86363-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDB86363-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0038 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Power Trench FDD productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0038ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 4084 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDB86363-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDB86363-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDB86363_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
FDB86363_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 |
на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FDB86363_F085 | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 88800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDB86363_F085 | Виробник : Aptina Imaging |
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FDB86363-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDB86363_F085 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDB86363-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Grade: Automotive Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |