Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDB86363-F085
FDB86363-F085

FDB86363-F085 ON Semiconductor

fdb86363_f085-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+196.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB86363-F085 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Power Trench FDD, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDB86363-F085 за ціною від 182.49 грн до 354.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDB86363-F085 FDB86363-F085 ON Semiconductor fdb86363_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+229.18 грн
10+225.89 грн
25+222.69 грн
100+211.56 грн
250+193.03 грн
500+182.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085 FDB86363-F085 onsemi fdb86363_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.28 грн
10+237.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363_F085 FDB86363_F085 Fairchild Semiconductor FDB86363_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363_F085 FDB86363_F085 Fairchild Semiconductor FDB86363_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085 FDB86363-F085 onsemi / Fairchild FDB86363_F085_D-2312181.pdf MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085 FDB86363-F085 ONSEMI 2729317.pdf Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085 FDB86363-F085 ONSEMI 2729317.pdf Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363_F085 Aptina Imaging FDB86363_F085.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+196.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363_F085 Aptina Imaging FDB86363_F085.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+212.90 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085 ONN fdb86363_f085-d.pdf
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085 fdb86363_f085-d.pdf
FDB86363-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+229.18 грн
10+225.89 грн
25+222.69 грн
100+211.56 грн
250+193.03 грн
500+182.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085 fdb86363_f085-d.pdf
FDB86363-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+354.28 грн
10+237.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363_F085 FDB86363_F085.pdf
FDB86363_F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363_F085 FDB86363_F085.pdf
FDB86363_F085
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 80V 110A TO263
на замовлення 725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085 FDB86363_F085_D-2312181.pdf
FDB86363-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085 2729317.pdf
FDB86363-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085 2729317.pdf
FDB86363-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 110 A, 0.0024 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Power Trench FDD
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363_F085 FDB86363_F085.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 88800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+196.44 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363_F085 FDB86363_F085.pdf
Виробник: Aptina Imaging
Trans MOSFET N-CH 80V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
67+212.90 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86363-F085 fdb86363_f085-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.