FDB86366-F085 onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 207.35 грн |
| 10+ | 177.14 грн |
| 25+ | 149.85 грн |
| 100+ | 125.46 грн |
| 250+ | 121.97 грн |
| 500+ | 109.43 грн |
| 800+ | 91.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB86366-F085 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 176W (Tj).
Інші пропозиції FDB86366-F085 за ціною від 120.45 грн до 272.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB86366-F085 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| FDB86366-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
|
|
FDB86366-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 176W (Tj) |
товару немає в наявності |