Продукція > ONSEMI > FDB86366-F085
FDB86366-F085

FDB86366-F085 onsemi

fdb86366_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.54 грн
10+ 146.39 грн
100+ 118.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB86366-F085 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Last Time Buy, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDB86366-F085 за ціною від 87.46 грн до 198.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDB86366-F085 FDB86366-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDB86366_F085_D-2311810.pdf MOSFET 80V 110A N-Chnl PowerTrench MOSFET
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.61 грн
10+ 169.67 грн
25+ 143.54 грн
100+ 120.17 грн
250+ 116.83 грн
500+ 104.82 грн
800+ 87.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDB86366-F085 Виробник : ON Semiconductor fdb86366_f085-d.pdf
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FDB86366-F085 FDB86366-F085 Виробник : onsemi fdb86366_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній