FDB86366-F085 onsemi / Fairchild
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 207.28 грн |
| 10+ | 177.07 грн |
| 25+ | 149.80 грн |
| 100+ | 125.41 грн |
| 250+ | 121.93 грн |
| 500+ | 109.39 грн |
| 800+ | 91.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB86366-F085 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Last Time Buy, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 176W (Tj).
Інші пропозиції FDB86366-F085 за ціною від 120.41 грн до 271.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB86366-F085 | onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 176W (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| FDB86366-F085 | ON Semiconductor |
|
на замовлення 120 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDB86366-F085 |
|
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.98 грн |
| 10+ | 171.71 грн |
| 100+ | 120.41 грн |
| FDB86366-F085 |
|
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)