Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDB8832_F085

FDB8832_F085 Fairchild Semiconductor

Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK

на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис FDB8832_F085 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB, Qualification: AEC-Q101, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Grade: Automotive, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції FDB8832_F085

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
FDB8832_F085	Виробник : Fairchild Semiconductor	Description: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK	на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FDB8832-F085	Виробник : ON Semiconductor / Fairchild	MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench	на замовлення 375 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FDB8832_F085	Виробник : Fairchild Semiconductor	Description: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
FDB8832-F085	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR)	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.