FDB8832_F085

FDB8832_F085 Fairchild Semiconductor


FDB8832_F085.pdf Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
на замовлення 600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB8832_F085 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDB8832_F085

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB8832_F085 FDB8832_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDB8832_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8832-F085 FDB8832-F085 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FDB8832_F085-1119217.pdf MOSFET 30V N-CHAN PwrTrench
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8832_F085 FDB8832_F085 Виробник : Fairchild Semiconductor FDB8832_F085.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8832-F085 FDB8832-F085 Виробник : onsemi fdb8832_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.