на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 59.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB8832 UMW
Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDB8832
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| FDB8832 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET |
на замовлення 3608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
 |
FDB8832 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
FDB8832 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
FDB8832 | Виробник : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263 Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |