Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FDB8870
FDB8870

FDB8870 Fairchild Semiconductor

FAIRS26348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB8870 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V, Packaging: Bulk, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB.

Інші пропозиції FDB8870 за ціною від 61.87 грн до 165.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB8870 FDB8870 Виробник : onsemi fdb8870-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 55520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
270+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 270
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870 FDB8870 Виробник : onsemi / Fairchild FDB8870_D-2312183.pdf MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.82 грн
10+135.41 грн
100+94.06 грн
250+87.09 грн
500+78.73 грн
800+66.75 грн
2400+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870 Виробник : fairchild FAIRS26348-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw fdb8870-d.pdf to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870 FDB8870 Виробник : onsemi fdb8870-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870 FDB8870 Виробник : onsemi fdb8870-d.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.