FDB8870 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 55520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 270+ | 86.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDB8870 onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 160W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDB8870 за ціною від 66.88 грн до 179.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDB8870 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V |
на замовлення 2877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDB8870 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
FDB8870 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDB8870 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDB8870 - MOSFET, N-CH, 30V, 35A, 175DEG C, 160WtariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 23321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 9421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 17712 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : FAIRCHILD |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : FAIRCHILD |
TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : fairchild |
to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : FSC |
09+ |
на замовлення 779 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| FDB8870 | Виробник : FAIRCHILD |
07+ TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
FDB8870 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
FDB8870 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263ABPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDB8870 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |

