Технічний опис FDB8896 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDB8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 0.0049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30, Dauer-Drainstrom Id: 93, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 80, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049, Betriebstemperatur, max.: 175, Schwellenspannung Vgs: 2.5, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції FDB8896
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDB8896 | ON Semiconductor / Fairchild |
 MOSFET 30V N-Channel PowerTrench |
на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDB8896 | fairchild |
to-263/d2-pak |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |
| FDB8896 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| FDB8896 |
|
Виробник: ON Semiconductor / Fairchild
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
MOSFET 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDB8896 |
|
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| FDB8896 |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)