Продукція > ONSEMI > FDB9503L-F085
FDB9503L-F085

FDB9503L-F085 onsemi

fdb9503l_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 654 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.72 грн
10+252.28 грн
100+188.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDB9503L-F085 onsemi

Description: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 333W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції FDB9503L-F085 за ціною від 172.47 грн до 414.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDB9503L-F085 FDB9503L-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDB9503L_F085_D-1806912.pdf MOSFETs P-Channel LogicLevel PowerTrench MOSFET
на замовлення 4658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+414.41 грн
10+289.49 грн
100+187.88 грн
800+183.48 грн
2400+172.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB9503L-F085 Виробник : ON Semiconductor fdb9503l_f085-d.pdf
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB9503L-F085 FDB9503L-F085 Виробник : ON Semiconductor fdb9503l_f085-d.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB9503L-F085 FDB9503L-F085 Виробник : onsemi fdb9503l_f085-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.