FDBL0110N60 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 850 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 359.82 грн |
| 100+ | 262.44 грн |
| 500+ | 200.78 грн |
| 1000+ | 181.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDBL0110N60 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 850 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 429W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 850µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDBL0110N60 за ціною від 181.80 грн до 530.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDBL0110N60 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V |
на замовлення 1876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDBL0110N60 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL0110N60 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 A, 850 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 850µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDBL0110N60 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 300A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDBL0110N60 | Виробник : ON Semiconductor |
FDBL0110N60 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 60V 300A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R Si - Arrow.com |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDBL0110N60 | Виробник : ON Semiconductor |
FDBL0110N60 ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH Si 60V 300A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R Si - Arrow.com |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDBL0110N60 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 300A Power dissipation: 429W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 170nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2000 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
|
FDBL0110N60 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDBL0110N60 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 60 V N-Channel PowerTrench MOSFET |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| FDBL0110N60 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300A; 429W; H-PSOF8L Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 300A Power dissipation: 429W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.1mΩ Mounting: SMD Gate charge: 170nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |