Продукція > ONSEMI > FDBL0150N60
FDBL0150N60

FDBL0150N60 ONSEMI

FDBL0150N60-D.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0150N60 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
700+352.48 грн
Мінімальне замовлення: 700
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL0150N60 ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 357W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V.

Інші пропозиції FDBL0150N60 за ціною від 266.32 грн до 569.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDBL0150N60 FDBL0150N60 Виробник : onsemi fdbl0150n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.46 грн
10+340.99 грн
100+301.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60 Виробник : onsemi / Fairchild fdbl0150n60-d.pdf MOSFETs Update code D
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.77 грн
10+398.90 грн
25+346.14 грн
100+266.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 Виробник : Fairchild Semiconductor fdbl0150n60-d.pdf Description: FDBL0150N60 - N-CHANNEL POWERTRE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+278.82 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60 Виробник : ON Semiconductor 3664768168131455fdbl0150n60.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 240A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 Виробник : ONSEMI fdbl0150n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 FDBL0150N60 Виробник : onsemi fdbl0150n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0150N60 Виробник : ONSEMI fdbl0150n60-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.