Продукція > ONSEMI > FDBL0200N100
FDBL0200N100

FDBL0200N100 onsemi

fdbl0200n100-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9760 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+260.10 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL0200N100 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 429W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDBL0200N100 за ціною від 306.57 грн до 679.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDBL0200N100 FDBL0200N100 onsemi fdbl0200n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9760 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+458.29 грн
10+341.08 грн
100+306.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 FDBL0200N100 ON Semiconductor fdbl0200n100-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+679.26 грн
10+578.50 грн
25+570.03 грн
100+457.23 грн
250+415.13 грн
500+351.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 FDBL0200N100 ON Semiconductor fdbl0200n100-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+679.26 грн
25+570.03 грн
100+457.23 грн
250+415.13 грн
500+351.51 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 FDBL0200N100 onsemi / Fairchild FDBL0200N100-D.PDF MOSFETs 100 V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 FDBL0200N100 ONSEMI 2859343.pdf Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 FDBL0200N100 ONSEMI 2859343.pdf Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 ONN fdbl0200n100-d.pdf
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 fdbl0200n100-d.pdf
FDBL0200N100
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9760 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+458.29 грн
10+341.08 грн
100+306.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 fdbl0200n100-d.pdf
FDBL0200N100
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+679.26 грн
10+578.50 грн
25+570.03 грн
100+457.23 грн
250+415.13 грн
500+351.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 fdbl0200n100-d.pdf
FDBL0200N100
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 300A 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+679.26 грн
25+570.03 грн
100+457.23 грн
250+415.13 грн
500+351.51 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 FDBL0200N100-D.PDF
FDBL0200N100
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100 V N-Channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 2859343.pdf
FDBL0200N100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 2859343.pdf
FDBL0200N100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0200N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0200N100 fdbl0200n100-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.