Продукція > ONSEMI > FDBL0210N80
FDBL0210N80

FDBL0210N80 onsemi

fdbl0210n80-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+184.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL0210N80 onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 357W (Tj), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V.

Інші пропозиції FDBL0210N80 за ціною від 189.60 грн до 511.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDBL0210N80 FDBL0210N80 onsemi fdbl0210n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.86 грн
10+316.19 грн
100+229.52 грн
500+204.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80 FDBL0210N80 onsemi fdbl0210n80-d.pdf MOSFETs Code D IMR
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+511.47 грн
10+339.62 грн
100+214.27 грн
500+202.99 грн
1000+189.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80 fdbl0210n80-d.pdf
FDBL0210N80
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
на замовлення 3349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+486.86 грн
10+316.19 грн
100+229.52 грн
500+204.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0210N80 fdbl0210n80-d.pdf
FDBL0210N80
Виробник: onsemi
MOSFETs Code D IMR
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+511.47 грн
10+339.62 грн
100+214.27 грн
500+202.99 грн
1000+189.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.