Продукція > ONSEMI > FDBL0240N100
FDBL0240N100

FDBL0240N100 onsemi

fdbl0240n100-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+191.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL0240N100 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0028 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 210A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, Verlustleistung: 300W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm.

Інші пропозиції FDBL0240N100 за ціною від 203.69 грн до 563.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDBL0240N100 FDBL0240N100 ONSEMI 2907358.pdf Description: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0028 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+365.10 грн
100+265.60 грн
500+237.47 грн
1000+210.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 FDBL0240N100 onsemi fdbl0240n100-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+469.41 грн
10+304.74 грн
100+225.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 FDBL0240N100 ONSEMI 2907358.pdf Description: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0028 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.43 грн
10+365.10 грн
100+265.60 грн
500+237.47 грн
1000+210.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 FDBL0240N100 onsemi fdbl0240n100-d.pdf MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.27 грн
10+368.80 грн
100+259.38 грн
500+230.48 грн
1000+203.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 2907358.pdf
FDBL0240N100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0028 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+365.10 грн
100+265.60 грн
500+237.47 грн
1000+210.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 fdbl0240n100-d.pdf
FDBL0240N100
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 210A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8755 pF @ 50 V
на замовлення 6743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+469.41 грн
10+304.74 грн
100+225.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 2907358.pdf
FDBL0240N100
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0240N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 210 A, 0.0028 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+539.43 грн
10+365.10 грн
100+265.60 грн
500+237.47 грн
1000+210.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0240N100 fdbl0240n100-d.pdf
FDBL0240N100
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 1272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+563.27 грн
10+368.80 грн
100+259.38 грн
500+230.48 грн
1000+203.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.