FDBL0260N100 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 195.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDBL0260N100 onsemi
Description: ONSEMI - FDBL0260N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2100 µohm, MO-299A, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: MO-299A, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDBL0260N100 за ціною від 188.18 грн до 482.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDBL0260N100 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL0260N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2100 µohm, MO-299A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: MO-299A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDBL0260N100 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9265 pF @ 50 V |
на замовлення 13670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDBL0260N100 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDBL0260N100 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL0260N100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 2100 µohm, MO-299A, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: MO-299A Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2100µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FDBL0260N100 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| FDBL0260N100 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; Idm: 1000A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Pulsed drain current: 1kA Power dissipation: 250W Case: H-PSOF8L Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.6mΩ Mounting: SMD Gate charge: 83nC Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |