Продукція > ONSEMI > FDBL0630N150
FDBL0630N150

FDBL0630N150 ONSEMI


2859344.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
на замовлення 809 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+324.28 грн
100+ 266.62 грн
500+ 193.33 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL0630N150 ONSEMI

Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 169A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 500W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm.

Інші пропозиції FDBL0630N150 за ціною від 176.92 грн до 426.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDBL0630N150 FDBL0630N150 Виробник : ONSEMI 2859344.pdf Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
на замовлення 809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+420.9 грн
10+ 324.28 грн
100+ 266.62 грн
500+ 193.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDBL0630N150 FDBL0630N150 Виробник : onsemi / Fairchild FDBL0630N150_D-2312220.pdf MOSFET N-Channel PowerTrench MOSFET, 150V, 169A, 6.3mohm
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+426.05 грн
10+ 379.27 грн
100+ 269.72 грн
500+ 229.66 грн
1000+ 193.61 грн
2000+ 183.59 грн
4000+ 176.92 грн
FDBL0630N150 Виробник : ONSEMI fdbl0630n150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Power dissipation: 500W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 169A
On-state resistance: 17.5mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDBL0630N150 FDBL0630N150 Виробник : onsemi fdbl0630n150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
товар відсутній
FDBL0630N150 FDBL0630N150 Виробник : onsemi fdbl0630n150-d.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
товар відсутній
FDBL0630N150 Виробник : ONSEMI fdbl0630n150-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 169A; 500W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Power dissipation: 500W
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 169A
On-state resistance: 17.5mΩ
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
товар відсутній