Продукція > ONSEMI > FDBL0630N150
FDBL0630N150

FDBL0630N150 onsemi

FDBL0630N150-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5805 pF @ 75 V
на замовлення 769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+513.04 грн
10+333.55 грн
100+242.68 грн
500+217.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL0630N150 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 169A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung Pd: 500W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, Verlustleistung: 500W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm.

Інші пропозиції FDBL0630N150 за ціною від 314.29 грн до 569.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDBL0630N150 FDBL0630N150 ON Semiconductor fdbl0630n150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 169A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+569.85 грн
10+514.24 грн
25+489.68 грн
100+422.64 грн
250+375.19 грн
500+333.20 грн
1000+314.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 FDBL0630N150 ON Semiconductor fdbl0630n150-d.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 169A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+569.85 грн
28+514.24 грн
29+489.68 грн
100+422.64 грн
250+375.19 грн
500+333.20 грн
1000+314.29 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 FDBL0630N150 ONSEMI 2859344.pdf Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 FDBL0630N150 onsemi FDBL0630N150-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 FDBL0630N150 onsemi / Fairchild FDBL0630N150-D.PDF MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 FDBL0630N150 ONSEMI 2859344.pdf Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 fdbl0630n150-d.pdf
FDBL0630N150
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 169A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+569.85 грн
10+514.24 грн
25+489.68 грн
100+422.64 грн
250+375.19 грн
500+333.20 грн
1000+314.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 fdbl0630n150-d.pdf
FDBL0630N150
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 150V 169A 9-Pin(8+Tab) HPSOF EP T/R
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+569.85 грн
28+514.24 грн
29+489.68 грн
100+422.64 грн
250+375.19 грн
500+333.20 грн
1000+314.29 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 2859344.pdf
FDBL0630N150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 FDBL0630N150-D.PDF
FDBL0630N150
Виробник: onsemi
MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2256 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 FDBL0630N150-D.PDF
FDBL0630N150
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 150V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL0630N150 2859344.pdf
FDBL0630N150
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL0630N150 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 169 A, 0.0063 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 169A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 500W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.