Продукція > ONSEMI > FDBL86062-F085
FDBL86062-F085

FDBL86062-F085 onsemi

FDBL86062-F085-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 11113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL86062-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 429W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 429W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm.

Інші пропозиції FDBL86062-F085

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDBL86062-F085 FDBL86062-F085 ONSEMI 2859345.pdf Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 FDBL86062-F085 ONSEMI 2859345.pdf Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 ONN FDBL86062-F085-D.PDF
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 2859345.pdf
FDBL86062-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 2859345.pdf
FDBL86062-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 FDBL86062-F085-D.PDF
Виробник: ONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.