Продукція > ONSEMI > FDBL86062-F085
FDBL86062-F085

FDBL86062-F085 onsemi

fdbl86062_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+263.03 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL86062-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 429W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V, Verlustleistung: 429W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm.

Інші пропозиції FDBL86062-F085 за ціною від 231.89 грн до 614.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDBL86062-F085 FDBL86062-F085 ONSEMI 2859345.pdf Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+392.24 грн
50+323.75 грн
100+261.49 грн
250+256.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 FDBL86062-F085 onsemi fdbl86062_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.79 грн
10+408.43 грн
100+340.39 грн
500+281.86 грн
1000+253.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 FDBL86062-F085 onsemi / Fairchild FDBL86062-F085-D.PDF MOSFETs PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 11163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+518.05 грн
10+386.63 грн
100+275.59 грн
500+261.49 грн
1000+249.51 грн
2000+231.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 FDBL86062-F085 ONSEMI 2859345.pdf Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+574.79 грн
5+483.51 грн
10+392.24 грн
50+323.75 грн
100+261.49 грн
250+256.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 FDBL86062-F085 onsemi fdbl86062_f085-d.pdf MOSFETs PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 11349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+614.26 грн
10+414.19 грн
2000+360.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 ONN fdbl86062_f085-d.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 2859345.pdf
FDBL86062-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 429W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+392.24 грн
50+323.75 грн
100+261.49 грн
250+256.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 fdbl86062_f085-d.pdf
FDBL86062-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 300A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6970 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 124 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 429W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+494.79 грн
10+408.43 грн
100+340.39 грн
500+281.86 грн
1000+253.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 FDBL86062-F085-D.PDF
FDBL86062-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 11163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+518.05 грн
10+386.63 грн
100+275.59 грн
500+261.49 грн
1000+249.51 грн
2000+231.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 2859345.pdf
FDBL86062-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86062-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
Verlustleistung: 429W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 1753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+574.79 грн
5+483.51 грн
10+392.24 грн
50+323.75 грн
100+261.49 грн
250+256.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 fdbl86062_f085-d.pdf
FDBL86062-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 11349 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+614.26 грн
10+414.19 грн
2000+360.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86062-F085 fdbl86062_f085-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.