FDBL86063

FDBL86063 onsemi


Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
на замовлення 1812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+565.68 грн
10+492.30 грн
100+407.60 грн
500+333.09 грн
1000+290.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL86063 onsemi

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; 357W; H-PSOF8L, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 240A, Power dissipation: 357W, Case: H-PSOF8L, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 2.6mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 73nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, кількість в упаковці: 2000 шт.

Інші пропозиції FDBL86063 за ціною від 231.66 грн до 585.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDBL86063 FDBL86063 Виробник : onsemi MOSFETs FET 100V 26MOHM H PSOF8L
на замовлення 1872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+585.45 грн
10+402.66 грн
100+273.17 грн
500+260.34 грн
1000+238.46 грн
2000+231.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063 Виробник : ON Semiconductor fdbl86063-d.pdf N Channel Power Trench MOSFET, 100V, 240A, 2.6m N Channel Power Trench MOSFET, 100V, 240A, 2.6m
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063 Виробник : ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063 FDBL86063 Виробник : onsemi Description: MOSFET N-CH 100V 240A 8HPSOF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86063 Виробник : ONSEMI Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 240A; 357W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 240A
Power dissipation: 357W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 73nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.