Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDBL86066-F085

FDBL86066-F085

fdbl86066-f085-d.pdf
Код товару: 203129
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDBL86066-F085 за ціною від 109.06 грн до 327.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 onsemi fdbl86066-f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+109.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ON Semiconductor fdbl86066-f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+172.45 грн
500+164.45 грн
1000+158.34 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ON Semiconductor fdbl86066-f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.92 грн
10+201.99 грн
25+196.63 грн
100+172.46 грн
250+153.97 грн
500+140.96 грн
1000+135.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ON Semiconductor fdbl86066-f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.08 грн
10+240.08 грн
25+229.18 грн
100+190.95 грн
250+167.24 грн
500+149.81 грн
1000+131.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 onsemi fdbl86066-f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.69 грн
10+208.76 грн
100+147.98 грн
500+120.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ONSEMI fdbl86066-f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 7066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 onsemi FDBL86066-F085-D.PDF MOSFETs PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ONSEMI fdbl86066-f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 7066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 ONN fdbl86066-f085-d.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+109.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
82+172.45 грн
500+164.45 грн
1000+158.34 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+218.92 грн
10+201.99 грн
25+196.63 грн
100+172.46 грн
250+153.97 грн
500+140.96 грн
1000+135.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+275.08 грн
10+240.08 грн
25+229.18 грн
100+190.95 грн
250+167.24 грн
500+149.81 грн
1000+131.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+327.69 грн
10+208.76 грн
100+147.98 грн
500+120.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 7066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085-D.PDF
FDBL86066-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 7066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.