FDBL86066-F085 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 109.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDBL86066-F085 onsemi
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 185A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDBL86066-F085 за ціною від 102.73 грн до 329.41 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDBL86066-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 7411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDBL86066-F085 | Виробник : onsemi |
MOSFETs PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm |
на замовлення 1368 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDBL86066-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDBL86066-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDBL86066-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDBL86066-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 7411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDBL86066-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FDBL86066-F085 | Виробник : ONN |
|
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
FDBL86066-F085 Код товару: 203129
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
FDBL86066-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
товару немає в наявності |