Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDBL86066-F085

FDBL86066-F085

fdbl86066-f085-d.pdf
Код товару: 203129
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDBL86066-F085 за ціною від 101.25 грн до 324.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 onsemi fdbl86066-f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+108.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 onsemi FDBL86066-F085-D.PDF MOSFETs PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.67 грн
10+136.25 грн
100+116.41 грн
500+114.34 грн
1000+104.01 грн
2000+101.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ONSEMI 2619984.pdf Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 7311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+175.19 грн
500+127.60 грн
1000+110.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 ONSEMI 2619984.pdf Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 7311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+274.03 грн
10+207.33 грн
100+175.19 грн
500+127.60 грн
1000+110.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085 onsemi fdbl86066-f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.69 грн
10+206.85 грн
100+146.63 грн
500+119.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 ONN fdbl86066-f085-d.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+108.06 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 FDBL86066-F085-D.PDF
FDBL86066-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+148.67 грн
10+136.25 грн
100+116.41 грн
500+114.34 грн
1000+104.01 грн
2000+101.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 2619984.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 7311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+175.19 грн
500+127.60 грн
1000+110.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 2619984.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 7311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+274.03 грн
10+207.33 грн
100+175.19 грн
500+127.60 грн
1000+110.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
FDBL86066-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+324.69 грн
10+206.85 грн
100+146.63 грн
500+119.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86066-F085 fdbl86066-f085-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

51 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-51R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 2206
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
51 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-51R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 51 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 7985 шт
  • 790 шт - склад
  • 2900 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 2800 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 1495 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
120 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-120R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1887
Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
120 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-120R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 120 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 3050 шт
  • 3050 шт - склад
очікується: 10000 шт
  • 10000 шт - очікується
КількістьЦіна
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1768
4 Додати до обраних Обраний товар
RC_series.pdf
1 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-1KR-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0805
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±5% J
Pном,W: 0,125 W
Uроб,V: 150 V
Типорозмір: 0805
у наявності: 54397 шт
  • 47390 шт - склад
  • 4207 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 200 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 2600 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 100000 шт
  • 100000 шт - очікується
КількістьЦіна
200+0.12 грн
1000+0.09 грн
10000+0.07 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
24 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-24R-Hitano) (резистор SMD)
Код товару: 1645
Додати до обраних Обраний товар
rc_series_20150401_1.pdf
24 Ohm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-24R-Hitano) (резистор SMD)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 1206
Номінал: 24 Ohm
Точність: ±5% J
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 200 V
Типорозмір: 1206
у наявності: 2196 шт
  • 1400 шт - склад
  • 796 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
КількістьЦіна
100+0.25 грн
1000+0.18 грн
10000+0.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZV55-C12
Код товару: 1357
Додати до обраних Обраний товар
BZV55.pdf
BZV55-C12
Виробник: YJ/NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: SOD-80
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: SMD
Температурний коефіцієнт: 8.4mV/K
товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+20.00 грн
10+2.00 грн
100+0.80 грн
1000+0.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.