Інші пропозиції FDBL86066-F085 за ціною від 119.63 грн до 431.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDBL86066-F085 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDBL86066-F085 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDBL86066-F085 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDBL86066-F085 | onsemi | MOSFETs PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm |
на замовлення 2027 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDBL86066-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 300W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm |
на замовлення 7066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FDBL86066-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 185A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V Verlustleistung: 300W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm |
на замовлення 7066 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDBL86066-F085 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 82+ | 178.99 грн |
| 500+ | 170.69 грн |
| 1000+ | 164.34 грн |
| FDBL86066-F085 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 227.23 грн |
| 10+ | 209.65 грн |
| 25+ | 204.09 грн |
| 100+ | 179.00 грн |
| 250+ | 159.81 грн |
| 500+ | 146.31 грн |
| 1000+ | 140.87 грн |
| FDBL86066-F085 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 185A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 285.52 грн |
| 10+ | 249.19 грн |
| 25+ | 237.88 грн |
| 100+ | 198.19 грн |
| 250+ | 173.58 грн |
| 500+ | 155.50 грн |
| 1000+ | 136.95 грн |
| FDBL86066-F085 |
Виробник: onsemi
MOSFETs PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
MOSFETs PTNG 100V N-FET TOLL 240A 4.1 mOhm
на замовлення 2027 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 431.85 грн |
| 10+ | 278.60 грн |
| 100+ | 180.57 грн |
| 500+ | 151.22 грн |
| 1000+ | 140.69 грн |
| 2000+ | 130.91 грн |
| 4000+ | 119.63 грн |
| FDBL86066-F085 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 7066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDBL86066-F085 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
Description: ONSEMI - FDBL86066-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 185 A, 0.0041 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 300W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0041ohm
на замовлення 7066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)




