Продукція > ONSEMI > FDBL86361-F085
FDBL86361-F085

FDBL86361-F085 onsemi

fdbl86361_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+210.52 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL86361-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDBL86361-F085 за ціною від 183.92 грн до 491.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : ONSEMI fdbl86361_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+312.78 грн
100+234.38 грн
500+213.81 грн
1000+193.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : onsemi fdbl86361_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.12 грн
10+349.68 грн
100+282.87 грн
500+235.97 грн
1000+202.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDBL86361_F085_D-2312125.pdf MOSFETs 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench
на замовлення 6836 шт:
термін постачання 140-149 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.62 грн
10+384.10 грн
100+270.00 грн
250+267.79 грн
500+239.83 грн
1000+205.99 грн
2000+198.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : ONSEMI fdbl86361_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+491.87 грн
10+351.57 грн
100+255.84 грн
500+203.08 грн
1000+183.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : ON Semiconductor fdbl86361_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : ON Semiconductor fdbl86361_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : ON Semiconductor fdbl86361_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 Виробник : ONSEMI fdbl86361_f085-d.pdf FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.