FDBL86361-F085 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 266.40 грн |
| 500+ | 239.85 грн |
| 1000+ | 219.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDBL86361-F085 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDBL86361-F085 за ціною від 194.15 грн до 523.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDBL86361-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDBL86361-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL N-Channel PowerTrench |
на замовлення 353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDBL86361-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 429W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDBL86361-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDBL86361-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
FDBL86361-F085 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDBL86361-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 429W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |