Продукція > ONSEMI > FDBL86361-F085
FDBL86361-F085

FDBL86361-F085 onsemi


fdbl86361_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+217.95 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL86361-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 429W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDBL86361-F085 за ціною від 184.32 грн до 497.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : ONSEMI 3750003.pdf Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+252.91 грн
500+227.70 грн
1000+207.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : onsemi fdbl86361_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 188 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.38 грн
10+362.02 грн
100+292.85 грн
500+244.30 грн
1000+209.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDBL86361_F085-D.PDF MOSFETs 80V, 300A, 1.1 mO, TO-LL
N-Channel PowerTrench
на замовлення 5429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+464.73 грн
10+298.68 грн
100+200.31 грн
500+194.98 грн
1000+194.22 грн
2000+184.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : ONSEMI 3750003.pdf Description: ONSEMI - FDBL86361-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 300 A, 1100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 429W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+497.27 грн
10+326.39 грн
100+252.91 грн
500+227.70 грн
1000+207.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : ON Semiconductor fdbl86361_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : ON Semiconductor fdbl86361_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 FDBL86361-F085 Виробник : ON Semiconductor fdbl86361_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 300A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86361-F085 Виробник : ONSEMI fdbl86361_f085-d.pdf FDBL86361-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.