Продукція > ONSEMI > FDBL86363-F085
FDBL86363-F085

FDBL86363-F085 onsemi

fdbl86363_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+152.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL86363-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції FDBL86363-F085 за ціною від 127.33 грн до 347.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 Виробник : ONSEMI fdbl86363_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+220.35 грн
500+158.63 грн
1000+140.06 грн
2000+133.70 грн
5000+127.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 Виробник : onsemi fdbl86363_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.55 грн
10+253.58 грн
100+205.15 грн
500+171.13 грн
1000+146.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDBL86363_F085_D-2312244.pdf MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 8499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+345.03 грн
10+285.11 грн
25+233.95 грн
100+200.11 грн
250+189.81 грн
500+178.04 грн
1000+152.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 Виробник : ONSEMI 2729320.pdf Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+347.44 грн
10+242.63 грн
100+179.91 грн
500+152.50 грн
1000+127.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 Виробник : ON Semiconductor fdbl86363_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 Виробник : ONSEMI fdbl86363_f085-d.pdf FDBL86363-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.