Продукція > ONSEMI > FDBL86363-F085
FDBL86363-F085

FDBL86363-F085 onsemi

fdbl86363_f085-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2000+150.71 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL86363-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 357W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm.

Інші пропозиції FDBL86363-F085 за ціною від 125.69 грн до 403.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 ONSEMI fdbl86363_f085-d.pdf Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 7176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+184.11 грн
500+145.24 грн
1000+125.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 ONSEMI 2729320.pdf Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 7176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+295.72 грн
10+216.70 грн
100+184.11 грн
500+145.24 грн
1000+125.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 onsemi fdbl86363_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.51 грн
10+250.31 грн
100+202.51 грн
500+168.93 грн
1000+144.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 onsemi / Fairchild FDBL86363_F085-D.PDF MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.56 грн
10+224.84 грн
100+148.73 грн
1000+148.03 грн
2000+134.07 грн
4000+130.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 FDBL86363-F085 onsemi fdbl86363_f085-d.pdf MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.25 грн
10+265.00 грн
100+165.49 грн
500+148.73 грн
1000+140.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 ONN fdbl86363_f085-d.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 fdbl86363_f085-d.pdf
FDBL86363-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 7176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+184.11 грн
500+145.24 грн
1000+125.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 2729320.pdf
FDBL86363-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL86363-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 240 A, 0.002 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 357W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
на замовлення 7176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+295.72 грн
10+216.70 грн
100+184.11 грн
500+145.24 грн
1000+125.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 fdbl86363_f085-d.pdf
FDBL86363-F085
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 169 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 357W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+309.51 грн
10+250.31 грн
100+202.51 грн
500+168.93 грн
1000+144.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 FDBL86363_F085-D.PDF
FDBL86363-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+331.56 грн
10+224.84 грн
100+148.73 грн
1000+148.03 грн
2000+134.07 грн
4000+130.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 fdbl86363_f085-d.pdf
FDBL86363-F085
Виробник: onsemi
MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 3965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+403.25 грн
10+265.00 грн
100+165.49 грн
500+148.73 грн
1000+140.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86363-F085 fdbl86363_f085-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.