FDBL86366-F085 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 105.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDBL86366-F085 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF, Qualification: AEC-Q101, Grade: Automotive, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: 8-HPSOF, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 300W (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 8-PowerSFN, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції FDBL86366-F085 за ціною від 90.61 грн до 276.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDBL86366-F085 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 2086 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDBL86366-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOFQualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-HPSOF Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 300W (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerSFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 387518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FDBL86366-F085 | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET |
на замовлення 2692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDBL86366-F085 | Виробник : ONN |
|
на замовлення 1350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |