Продукція > ONSEMI > FDBL86366-F085
FDBL86366-F085

FDBL86366-F085 onsemi


fdbl86366_f085-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 386000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDBL86366-F085 onsemi

Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0024 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 220A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PowerTrench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FDBL86366-F085 за ціною від 96.34 грн до 278.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDBL86366-F085 FDBL86366-F085 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0015368689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0024 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+160.54 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085 FDBL86366-F085 Виробник : onsemi / Fairchild FDBL86366_F085_D-2312154.pdf MOSFETs N-Channel Power Trench MOSFET
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.86 грн
10+210.15 грн
25+174.67 грн
100+135.04 грн
500+110.82 грн
1000+102.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085 FDBL86366-F085 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0015368689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDBL86366-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 220 A, 0.0024 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 220A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+278.27 грн
10+193.47 грн
100+160.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085 FDBL86366-F085 Виробник : onsemi fdbl86366_f085-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6320 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 387518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.66 грн
10+183.40 грн
100+133.07 грн
500+103.30 грн
1000+96.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085 FDBL86366-F085 Виробник : ON Semiconductor fdbl86366_f085-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDBL86366-F085 Виробник : ONSEMI fdbl86366_f085-d.pdf FDBL86366-F085 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.