FDBL9403-F085T6 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 50A/300A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 159.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6985 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 237.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDBL9403-F085T6 onsemi
Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 840 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 159.6W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDBL9403-F085T6 за ціною від 205.70 грн до 553.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDBL9403-F085T6 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 840 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 159.6W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDBL9403-F085T6 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R |
на замовлення 430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDBL9403-F085T6 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9403-F085T6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 840 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 159.6W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 840µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FDBL9403-F085T6 | Виробник : onsemi |
MOSFETs T6 40V SG SINGLE NCH TOLL 09 MOHMS MAX |
на замовлення 261 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDBL9403-F085T6 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A/300A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 159.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6985 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FDBL9403-F085T6 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1975 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
 |
FDBL9403-F085T6 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDBL9403-F085T6 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
FDBL9403-F085T6 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 50A Automotive 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R |
товару немає в наявності |