FDBL9403L-F085 ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 357.1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 357.1W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 227.85 грн |
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Технічний опис FDBL9403L-F085 ONSEMI
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 357.1W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 357.1W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 590µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції FDBL9403L-F085 за ціною від 227.85 грн до 272.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
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FDBL9403L-F085 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDBL9403L-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 590 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 357.1W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 590µohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDBL9403L-F085 | Виробник : ON Semiconductor | MOSFET NMOS TOLL 40V LL 0. 72 MOH |
на замовлення 1497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
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FDBL9403L-F085 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 240A Automotive 9-Pin(8+Tab) TO-LL T/R |
товар відсутній |
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FDBL9403L-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 53.3A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
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FDBL9403L-F085 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 53.3A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 203 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14100 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |