Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDC2612

FDC2612

fdc2612-d.pdf
Код товару: 167562
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDC2612 за ціною від 11.95 грн до 78.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC2612 FDC2612 ON Semiconductor fdc2612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
879+15.99 грн
909+15.46 грн
910+15.44 грн
943+14.38 грн
1000+13.07 грн
3000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 onsemi fdc2612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 11544000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.07 грн
6000+16.97 грн
9000+16.26 грн
15000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 ON Semiconductor fdc2612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 11541000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 ON Semiconductor fdc2612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.28 грн
46+16.56 грн
47+15.42 грн
100+13.81 грн
250+13.24 грн
500+12.78 грн
1000+12.55 грн
3000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 onsemi fdc2612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
на замовлення 11546700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.43 грн
10+45.81 грн
100+30.09 грн
500+21.88 грн
1000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 ONSEMI FDC2612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 1.43Ω
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+78.05 грн
10+45.13 грн
100+30.39 грн
250+26.11 грн
500+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 ONSEMI ONSM-S-A0013178733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 onsemi fdc2612-d.pdf MOSFETs 200V NCh PowerTrench
на замовлення 9228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 ONSEMI ONSM-S-A0013178733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 fdc2612-d.pdf
FDC2612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
879+15.99 грн
909+15.46 грн
910+15.44 грн
943+14.38 грн
1000+13.07 грн
3000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 879 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 fdc2612-d.pdf
FDC2612
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 11544000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.07 грн
6000+16.97 грн
9000+16.26 грн
15000+14.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 fdc2612-d.pdf
FDC2612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 11541000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 fdc2612-d.pdf
FDC2612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
33+23.28 грн
46+16.56 грн
47+15.42 грн
100+13.81 грн
250+13.24 грн
500+12.78 грн
1000+12.55 грн
3000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 fdc2612-d.pdf
FDC2612
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
на замовлення 11546700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.43 грн
10+45.81 грн
100+30.09 грн
500+21.88 грн
1000+19.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612.pdf
FDC2612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 11nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 1.1A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 1.43Ω
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+78.05 грн
10+45.13 грн
100+30.39 грн
250+26.11 грн
500+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 ONSM-S-A0013178733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC2612
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 fdc2612-d.pdf
FDC2612
Виробник: onsemi
MOSFETs 200V NCh PowerTrench
на замовлення 9228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 ONSM-S-A0013178733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC2612
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
на замовлення 3543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.