Продукція > ONSEMI > FDC2612
FDC2612

FDC2612 onsemi

fdc2612-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
на замовлення 11769000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.21 грн
6000+17.13 грн
9000+16.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC2612 onsemi

Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC2612 за ціною від 16.01 грн до 77.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC2612 FDC2612 Виробник : ON Semiconductor fdc2612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
397+30.70 грн
469+26.00 грн
473+25.74 грн
532+22.07 грн
1000+19.25 грн
3000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 397
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.02 грн
500+20.71 грн
1000+17.44 грн
5000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ON Semiconductor fdc2612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+34.75 грн
20+30.36 грн
25+28.50 грн
100+23.28 грн
250+21.34 грн
500+18.22 грн
1000+17.16 грн
3000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ONSEMI FDC2612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+64.31 грн
10+40.36 грн
36+24.94 грн
99+23.58 грн
500+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : onsemi fdc2612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
на замовлення 11769469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.15 грн
10+42.18 грн
100+29.02 грн
500+22.72 грн
1000+20.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ONSEMI fdc2612-d.pdf Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.31 грн
17+48.27 грн
100+33.13 грн
500+23.43 грн
1000+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : onsemi / Fairchild FDC2612_D-2312157.pdf MOSFETs 200V NCh PowerTrench
на замовлення 11631 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.99 грн
10+47.65 грн
100+28.45 грн
500+22.71 грн
1000+20.68 грн
3000+19.16 грн
24000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ONSEMI FDC2612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 1.43Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.17 грн
10+50.30 грн
36+29.93 грн
99+28.30 грн
500+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612
Код товару: 167562
Додати до обраних Обраний товар

fdc2612-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ON Semiconductor 3057300918998753fdc2612.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ON Semiconductor fdc2612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.