| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 879+ | 14.69 грн |
| 909+ | 14.21 грн |
| 910+ | 14.19 грн |
| 943+ | 13.21 грн |
| 1000+ | 12.01 грн |
| 3000+ | 10.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC2612 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDC2612 за ціною від 11.76 грн до 88.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC2612 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V |
на замовлення 11544000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC2612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 11541000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC2612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDC2612 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDC2612 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Gate charge: 11nC Drain current: 1.1A On-state resistance: 1.43Ω Power dissipation: 1.6W Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 200V |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC2612 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V |
на замовлення 11546700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
FDC2612 | Виробник : onsemi |
MOSFETs 200V NCh PowerTrench |
на замовлення 9661 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC2612 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC2612 Код товару: 167562
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||||
|
|
FDC2612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |