Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC2612
FDC2612

FDC2612 ON Semiconductor

fdc2612-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
879+14.12 грн
909+13.66 грн
910+13.64 грн
943+12.70 грн
1000+11.54 грн
3000+10.55 грн
Мінімальне замовлення: 879
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC2612 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.6W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC2612 за ціною від 11.30 грн до 88.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC2612 FDC2612 Виробник : ON Semiconductor fdc2612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 11541000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : onsemi fdc2612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
на замовлення 11544000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.76 грн
6000+18.47 грн
9000+17.70 грн
15000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ON Semiconductor fdc2612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+22.03 грн
46+15.67 грн
47+14.59 грн
100+13.06 грн
250+12.53 грн
500+12.09 грн
1000+11.87 грн
3000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.605ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.10 грн
500+28.16 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ONSEMI FDC2612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.21 грн
11+38.24 грн
100+26.54 грн
500+23.07 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ONSEMI FDC2612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.43Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.85 грн
10+47.65 грн
100+31.85 грн
500+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178733-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC2612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1.1 A, 0.605 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.605ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+75.67 грн
17+53.87 грн
100+37.10 грн
500+28.16 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : onsemi fdc2612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V
на замовлення 11546700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+82.10 грн
10+49.86 грн
100+32.75 грн
500+23.82 грн
1000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : onsemi FDC2612-D.PDF MOSFETs 200V NCh PowerTrench
на замовлення 9661 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.55 грн
10+54.87 грн
100+31.29 грн
500+24.32 грн
1000+22.07 грн
3000+19.05 грн
6000+18.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612
Код товару: 167562
Додати до обраних Обраний товар

fdc2612-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ON Semiconductor 3057300918998753fdc2612.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC2612 FDC2612 Виробник : ON Semiconductor fdc2612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.