на замовлення 20999 шт:
термін постачання 358-367 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 52.52 грн |
10+ | 45.06 грн |
100+ | 27.12 грн |
500+ | 22.61 грн |
1000+ | 19.29 грн |
3000+ | 17.17 грн |
6000+ | 16.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC2612 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V.
Інші пропозиції FDC2612
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FDC2612 Код товару: 167562 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||
FDC2612 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||
FDC2612 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||
FDC2612 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 200V 1.1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||
FDC2612 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 1.1A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.43Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
FDC2612 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V |
товар відсутній |
||
FDC2612 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 725mOhm @ 1.1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 234 pF @ 100 V |
товар відсутній |
||
FDC2612 | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1.1A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 1.1A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.43Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |