на замовлення 49017 шт:
термін постачання 546-555 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.09 грн |
| 10+ | 49.9 грн |
| 100+ | 33.25 грн |
| 500+ | 26.3 грн |
| 1000+ | 21.03 грн |
| 3000+ | 19.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC30N20DZ onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V.
Інші пропозиції FDC30N20DZ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC30N20DZ | Виробник : ON Semiconductor |
 Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
товар відсутній |
|
 |
FDC30N20DZ | Виробник : ON Semiconductor |
Dual N-Channel PowerTrench MOSFET |
товар відсутній |
|
 |
FDC30N20DZ | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A SUPERSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 4.6A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 535 pF @ 15 V |
товар відсутній |