Продукція > ONSEMI > FDC3512
FDC3512

FDC3512 onsemi

fdc3512-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.99 грн
6000+21.96 грн
9000+21.09 грн
15000+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC3512 onsemi

Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.056 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC3512 за ціною від 23.34 грн до 94.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC3512 FDC3512 Виробник : ON Semiconductor 1062197473917642fdc3512.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 FDC3512 Виробник : ON Semiconductor fdc3512-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 FDC3512 Виробник : ON Semiconductor fdc3512-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+28.83 грн
6000+27.50 грн
9000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 FDC3512 Виробник : ON Semiconductor fdc3512-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+30.96 грн
6000+29.53 грн
9000+27.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 FDC3512 Виробник : ONSEMI 2284357.pdf Description: ONSEMI - FDC3512 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 3 A, 0.056 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+79.74 грн
50+70.02 грн
100+53.73 грн
500+39.36 грн
1500+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 FDC3512 Виробник : onsemi fdc3512-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 40 V
на замовлення 36460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.58 грн
10+57.65 грн
100+38.15 грн
500+27.96 грн
1000+25.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 FDC3512 Виробник : onsemi / Fairchild fdc3512-d.pdf MOSFETs 80V N-Ch PowerTrench
на замовлення 2411 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.91 грн
10+68.55 грн
100+39.91 грн
500+31.63 грн
1000+28.81 грн
3000+23.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 FDC3512 Виробник : ON Semiconductor fdc3512-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 FDC3512 Виробник : ON Semiconductor fdc3512-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3512 FDC3512 Виробник : ON Semiconductor fdc3512-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.