на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 13.56 грн |
| 6000+ | 13.10 грн |
| 12000+ | 13.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC3601N ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDC3601N за ціною від 12.10 грн до 69.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
FDC3601N | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3601N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3601N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3601N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3601N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3601N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3601N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 58937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3601N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 58937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3601N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
на замовлення 70816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3601N | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs Dual N-Ch 100V Spec Power Trench |
на замовлення 8222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3601N Код товару: 106119
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC3601N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDC3601N | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDC3601N | Виробник : ONSEMI |
FDC3601N Multi channel transistors |
товару немає в наявності |