Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDC3601N
FDC3601N

FDC3601N

fdc3601n-d.pdf
Код товару: 106119
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDC3601N за ціною від 12.62 грн до 65.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDC3601N FDC3601N ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 53490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.81 грн
500+18.55 грн
1000+16.21 грн
5000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
On-state resistance: 976mΩ
Drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.30 грн
12+38.43 грн
25+30.97 грн
100+22.57 грн
250+18.83 грн
500+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.43 грн
10+38.41 грн
100+24.97 грн
500+18.01 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N onsemi / Fairchild FDC3601N-D.PDF MOSFETs Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.78 грн
10+40.61 грн
100+22.98 грн
500+17.62 грн
1000+15.93 грн
3000+14.10 грн
6000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 53490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.78 грн
20+41.20 грн
100+26.81 грн
500+18.55 грн
1000+16.21 грн
5000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC3601N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 53490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+26.81 грн
500+18.55 грн
1000+16.21 грн
5000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: ONSEMI
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.96W
On-state resistance: 976mΩ
Drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+60.30 грн
12+38.43 грн
25+30.97 грн
100+22.57 грн
250+18.83 грн
500+18.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+63.43 грн
10+38.41 грн
100+24.97 грн
500+18.01 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N-D.PDF
FDC3601N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.78 грн
10+40.61 грн
100+22.98 грн
500+17.62 грн
1000+15.93 грн
3000+14.10 грн
6000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC3601N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 53490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+65.78 грн
20+41.20 грн
100+26.81 грн
500+18.55 грн
1000+16.21 грн
5000+15.86 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.