Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC3601N
FDC3601N

FDC3601N ON Semiconductor

fdc3601n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+13.59 грн
6000+13.13 грн
12000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC3601N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC3601N за ціною від 12.27 грн до 69.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.54 грн
6000+14.06 грн
12000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.84 грн
6000+14.92 грн
9000+14.08 грн
15000+12.69 грн
21000+12.28 грн
30000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1743+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 1743
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.05 грн
500+22.17 грн
1000+17.89 грн
5000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+60.10 грн
19+46.16 грн
100+31.05 грн
500+22.17 грн
1000+17.89 грн
5000+14.60 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : onsemi / Fairchild fdc3601n-d.pdf MOSFETs Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.98 грн
10+44.93 грн
100+26.79 грн
500+20.54 грн
1000+18.08 грн
3000+16.37 грн
6000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 70816 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.23 грн
10+41.63 грн
100+27.07 грн
500+19.52 грн
1000+17.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N
Код товару: 106119
Додати до обраних Обраний товар

fdc3601n-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
On-state resistance: 976mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.96W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.