Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC3601N
FDC3601N

FDC3601N ON Semiconductor

fdc3601n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.75 грн
6000+14.26 грн
12000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC3601N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC3601N за ціною від 14.98 грн до 67.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.90 грн
6000+15.37 грн
12000+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1743+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 1743
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
35+20.23 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.87 грн
500+22.75 грн
1000+18.36 грн
5000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 976mΩ
Power dissipation: 0.96W
Drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Case: SuperSOT-6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+48.83 грн
12+33.97 грн
100+22.51 грн
250+19.17 грн
500+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 976mΩ
Power dissipation: 0.96W
Drain current: 1A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Case: SuperSOT-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.60 грн
10+42.33 грн
100+27.01 грн
250+23.01 грн
500+21.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.68 грн
19+47.37 грн
100+31.87 грн
500+22.75 грн
1000+18.36 грн
5000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 1574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.09 грн
10+39.70 грн
100+25.84 грн
500+18.63 грн
1000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : onsemi / Fairchild fdc3601n-d.pdf MOSFETs Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
на замовлення 6695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.71 грн
10+46.11 грн
100+27.49 грн
500+21.08 грн
1000+18.56 грн
3000+16.80 грн
6000+15.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N
Код товару: 106119
Додати до обраних Обраний товар

fdc3601n-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.