FDC3601N ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm
Verlustleistung, p-Kanal: -W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 28631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 27.45 грн |
500+ | 16.22 грн |
3000+ | 14.4 грн |
9000+ | 13.89 грн |
24000+ | 13.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC3601N ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm, Verlustleistung, p-Kanal: -W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції FDC3601N за ціною від 11.74 грн до 53.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDC3601N | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET Dual N-Ch 100V Spec Power Trench |
на замовлення 5955 шт: термін постачання 405-414 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC3601N | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -ohm Verlustleistung, p-Kanal: -W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 960mW Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 28631 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FDC3601N Код товару: 106119 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
FDC3601N | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC3601N | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC3601N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1A On-state resistance: 976mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC3601N | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC3601N | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC3601N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC3601N | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FDC3601N | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6 Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Case: SuperSOT-6 Drain-source voltage: 100V Drain current: 1A On-state resistance: 976mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.96W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V |
товар відсутній |