Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC3601N
FDC3601N

FDC3601N ON Semiconductor

fdc3601n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC3601N ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 960mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC3601N за ціною від 14.09 грн до 98.10 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+17.27 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.39 грн
6000+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1460+21.86 грн
Мінімальне замовлення: 1460
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.83 грн
6000+21.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.41 грн
500+23.13 грн
1000+19.30 грн
5000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.34 грн
12+35.02 грн
100+23.21 грн
250+19.76 грн
500+18.12 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ONSEMI fdc3601n-d.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 1A; 0.96W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1A
Power dissipation: 0.96W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 976mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.41 грн
10+43.64 грн
100+27.85 грн
250+23.72 грн
500+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.13 грн
10+41.25 грн
100+26.82 грн
500+19.34 грн
1000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 54667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+71.45 грн
20+44.69 грн
100+29.06 грн
500+20.75 грн
1000+17.33 грн
5000+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : onsemi / Fairchild FDC3601N-D.PDF MOSFETs Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.48 грн
10+45.36 грн
100+25.66 грн
500+19.68 грн
1000+17.79 грн
3000+15.75 грн
6000+14.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+98.10 грн
12+61.39 грн
100+39.97 грн
500+29.60 грн
1000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N
Код товару: 106119
Додати до обраних Обраний товар

fdc3601n-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N Виробник : ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.