Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > FDC3601N

FDC3601N

fdc3601n-d.pdf
Код товару: 106119
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDC3601N за ціною від 15.92 грн до 101.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC3601N FDC3601N ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.32 грн
6000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1460+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 1460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.71 грн
6000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.13 грн
10+37.62 грн
100+24.46 грн
500+17.64 грн
1000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ON Semiconductor fdc3601n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.72 грн
12+63.66 грн
100+41.45 грн
500+30.69 грн
1000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N onsemi / Fairchild FDC3601N-D.PDF MOSFETs Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 53490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N ONSEMI ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 53490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N onsemi fdc3601n-d.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.32 грн
6000+18.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1460+24.29 грн
Мінімальне замовлення: 1460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+24.71 грн
6000+22.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.13 грн
10+37.62 грн
100+24.46 грн
500+17.64 грн
1000+15.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+101.72 грн
12+63.66 грн
100+41.45 грн
500+30.69 грн
1000+25.69 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N FDC3601N-D.PDF
FDC3601N
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs Dual N-Ch 100V Spec Power Trench
на замовлення 4756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC3601N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 53490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N ONSM-S-A0014584734-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC3601N
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3601N - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.5 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.5ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 960mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 53490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3601N fdc3601n-d.pdf
FDC3601N
Виробник: onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1A SSOT6
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 1A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 153pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 700mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.