на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC3612 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDC3612 за ціною від 13.80 грн до 47.29 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC3612 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3612 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3612 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V |
на замовлення 14561 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC3612 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs 100V NCh PowerTrench |
на замовлення 30286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3612 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC3612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDC3612 | Виробник : ONSEMI |
FDC3612 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |