Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC3612
FDC3612

FDC3612 ON Semiconductor

fdc3612-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC3612 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC3612 за ціною від 12.89 грн до 43.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC3612 FDC3612 Виробник : onsemi fdc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.09 грн
6000+14.88 грн
9000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.89 грн
6000+16.51 грн
9000+15.46 грн
24000+14.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.26 грн
6000+16.82 грн
9000+15.59 грн
24000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.13 грн
6000+17.74 грн
9000+16.59 грн
24000+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.49 грн
6000+18.02 грн
9000+16.70 грн
24000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.17 грн
9000+21.17 грн
18000+19.69 грн
27000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ONSEMI fdc3612-d.pdf Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.21 грн
500+21.79 грн
1500+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ONSEMI fdc3612-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+35.71 грн
14+30.00 грн
46+20.37 грн
126+19.27 грн
500+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : onsemi / Fairchild fdc3612-d.pdf MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 29929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.32 грн
12+31.03 грн
100+21.60 грн
500+18.80 грн
1000+16.68 грн
3000+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : onsemi fdc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
на замовлення 14561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.00 грн
10+35.37 грн
100+25.83 грн
500+19.96 грн
1000+18.05 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ONSEMI fdc3612-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.85 грн
10+37.39 грн
46+24.44 грн
126+23.12 грн
500+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ONSEMI fdc3612-d.pdf Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.11 грн
50+34.35 грн
100+27.21 грн
500+21.79 грн
1500+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.