Продукція > ONSEMI > FDC3612
FDC3612

FDC3612 onsemi

fdc3612-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.11 грн
6000+13.97 грн
9000+13.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC3612 onsemi

Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm.

Інші пропозиції FDC3612 за ціною від 16.95 грн до 53.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC3612 FDC3612 ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.54 грн
6000+19.11 грн
9000+17.89 грн
24000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.57 грн
6000+19.15 грн
9000+17.92 грн
24000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.97 грн
6000+19.46 грн
9000+18.04 грн
24000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.97 грн
6000+19.46 грн
9000+18.04 грн
24000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.81 грн
9000+24.49 грн
18000+22.79 грн
27000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 onsemi fdc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
на замовлення 14561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.49 грн
10+33.21 грн
100+24.25 грн
500+18.74 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 ONSEMI FDC3612.PDF Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+53.22 грн
12+35.91 грн
14+30.23 грн
50+21.41 грн
100+19.60 грн
500+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 onsemi fdc3612-d.pdf MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 26025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 onsemi / Fairchild FDC3612-D.PDF MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 29629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 ONSEMI ONSM-S-A0013178676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 ONSEMI ONSM-S-A0013178676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 fdc3612-d.pdf
FDC3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.54 грн
6000+19.11 грн
9000+17.89 грн
24000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 fdc3612-d.pdf
FDC3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.57 грн
6000+19.15 грн
9000+17.92 грн
24000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 fdc3612-d.pdf
FDC3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.97 грн
6000+19.46 грн
9000+18.04 грн
24000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 fdc3612-d.pdf
FDC3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.97 грн
6000+19.46 грн
9000+18.04 грн
24000+17.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 fdc3612-d.pdf
FDC3612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+26.81 грн
9000+24.49 грн
18000+22.79 грн
27000+20.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 fdc3612-d.pdf
FDC3612
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
на замовлення 14561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+38.49 грн
10+33.21 грн
100+24.25 грн
500+18.74 грн
1000+16.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612.PDF
FDC3612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+53.22 грн
12+35.91 грн
14+30.23 грн
50+21.41 грн
100+19.60 грн
500+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 fdc3612-d.pdf
FDC3612
Виробник: onsemi
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 26025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612-D.PDF
FDC3612
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 29629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 ONSM-S-A0013178676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC3612
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 ONSM-S-A0013178676-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC3612
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
на замовлення 2550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.