FDC3612

FDC3612 ON Semiconductor


fdc3612-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC3612 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC3612 за ціною від 12.95 грн до 43.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC3612 FDC3612 Виробник : onsemi fdc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.18 грн
6000+14.96 грн
9000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.17 грн
6000+16.79 грн
9000+15.72 грн
24000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.55 грн
6000+17.11 грн
9000+15.85 грн
24000+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.43 грн
6000+18.04 грн
9000+16.87 грн
24000+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.80 грн
6000+18.33 грн
9000+16.99 грн
24000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.56 грн
9000+21.53 грн
18000+20.03 грн
27000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ONSEMI fdc3612-d.pdf Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.35 грн
500+21.90 грн
1500+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+33.33 грн
15+27.93 грн
50+23.17 грн
100+21.03 грн
250+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : onsemi / Fairchild FDC3612-D.PDF MOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 29590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+38.22 грн
12+29.61 грн
100+20.87 грн
500+18.59 грн
1000+16.76 грн
3000+12.95 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1FD0A58EB56DCDB260E2&compId=FDC3612.PDF?ci_sign=79261df772af88d070e7d6c2633dc7f42384222f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.6A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.00 грн
10+34.81 грн
50+27.81 грн
100+25.24 грн
250+22.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : onsemi fdc3612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 2.6A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
на замовлення 14561 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.21 грн
10+35.55 грн
100+25.96 грн
500+20.06 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ONSEMI fdc3612-d.pdf Description: ONSEMI - FDC3612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.125 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+43.33 грн
50+34.53 грн
100+27.35 грн
500+21.90 грн
1500+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC3612 FDC3612 Виробник : ON Semiconductor fdc3612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.