| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 11.94 грн |
| 65+ | 11.46 грн |
| 67+ | 11.03 грн |
| 70+ | 10.22 грн |
| 100+ | 9.13 грн |
| 1000+ | 8.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC365P ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 20 V.
Інші пропозиції FDC365P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC365P | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 35V 4.3A SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 35 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
|
 |
FDC365P | Виробник : onsemi |
MOSFETs -35V P-Channel PowerTrench |
товару немає в наявності |