Продукція > ONSEMI > FDC5612
FDC5612

FDC5612 onsemi

fdc5612-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.76 грн
6000+14.86 грн
9000+14.21 грн
15000+12.65 грн
21000+12.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5612 onsemi

Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC5612 за ціною від 13.37 грн до 68.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.31 грн
6000+16.85 грн
9000+15.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor 3666839020785396fdc5612.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.26 грн
6000+17.79 грн
9000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.58 грн
6000+18.09 грн
9000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 53699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.89 грн
500+20.10 грн
1500+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+39.06 грн
462+27.44 грн
471+26.93 грн
565+21.63 грн
1000+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+39.68 грн
21+35.19 грн
100+26.62 грн
500+22.12 грн
1000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+49.56 грн
18+42.27 грн
25+41.85 грн
100+28.35 грн
250+25.76 грн
500+20.60 грн
1000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : onsemi / Fairchild FDC5612-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
на замовлення 17354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+52.42 грн
10+39.93 грн
100+23.65 грн
500+20.17 грн
1000+18.04 грн
3000+13.92 грн
6000+13.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ONSEMI fdc5612-d.pdf Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.90 грн
50+46.23 грн
100+31.50 грн
500+23.57 грн
1500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : onsemi fdc5612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 45623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.45 грн
10+41.28 грн
100+26.89 грн
500+19.41 грн
1000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 Виробник : ONSEMI fdc5612-d.pdf FDC5612 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.97 грн
53+22.25 грн
145+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 Виробник : ON Semiconductor 3666839020785396fdc5612.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor 3666839020785396fdc5612.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.