Продукція > ONSEMI > FDC5612
FDC5612

FDC5612 onsemi

fdc5612-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+15.54 грн
6000+13.77 грн
9000+13.17 грн
15000+11.72 грн
21000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5612 onsemi

Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.

Інші пропозиції FDC5612 за ціною від 11.91 грн до 73.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDC5612 FDC5612 ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 25102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.15 грн
500+23.36 грн
1500+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 onsemi / Fairchild FDC5612-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
на замовлення 17354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+46.71 грн
10+35.58 грн
100+21.07 грн
500+17.97 грн
1000+16.07 грн
3000+12.40 грн
6000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ONSEMI FDC5612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.56 грн
11+40.89 грн
12+35.38 грн
50+25.96 грн
100+23.33 грн
500+19.00 грн
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 onsemi fdc5612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 45623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.43 грн
10+38.25 грн
100+24.92 грн
500+17.99 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 25102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+73.43 грн
50+48.60 грн
100+32.15 грн
500+23.36 грн
1500+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC5612
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 25102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.15 грн
500+23.36 грн
1500+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612-D.PDF
FDC5612
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
на замовлення 17354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+46.71 грн
10+35.58 грн
100+21.07 грн
500+17.97 грн
1000+16.07 грн
3000+12.40 грн
6000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612.pdf
FDC5612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+57.56 грн
11+40.89 грн
12+35.38 грн
50+25.96 грн
100+23.33 грн
500+19.00 грн
1000+17.39 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 45623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+63.43 грн
10+38.25 грн
100+24.92 грн
500+17.99 грн
1000+16.25 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC5612
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 25102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+73.43 грн
50+48.60 грн
100+32.15 грн
500+23.36 грн
1500+18.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.