Продукція > ONSEMI > FDC5612
FDC5612

FDC5612 onsemi

fdc5612-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.62 грн
6000+13.70 грн
9000+13.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5612 onsemi

Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC5612 за ціною від 12.88 грн до 65.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.87 грн
6000+16.42 грн
9000+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor 3666839020785396fdc5612.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.79 грн
6000+17.33 грн
9000+16.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.11 грн
6000+17.63 грн
9000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 55537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+27.35 грн
500+21.03 грн
1500+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+38.06 грн
462+26.74 грн
471+26.24 грн
565+21.08 грн
1000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+38.67 грн
21+34.29 грн
100+25.94 грн
500+21.55 грн
1000+17.14 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+48.30 грн
18+41.19 грн
25+40.78 грн
100+27.62 грн
250+25.11 грн
500+20.07 грн
1000+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 51550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+48.89 грн
23+37.78 грн
100+25.81 грн
500+19.36 грн
1000+16.04 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : onsemi / Fairchild FDC5612-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
на замовлення 17354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+50.49 грн
10+38.46 грн
100+22.78 грн
500+19.43 грн
1000+17.37 грн
3000+13.41 грн
6000+12.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : onsemi fdc5612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 10302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.93 грн
10+39.92 грн
100+25.68 грн
500+18.75 грн
1000+16.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor 3666839020785396fdc5612.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 Виробник : ON Semiconductor 3666839020785396fdc5612.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.