FDC5612 onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 15.29 грн |
| 6000+ | 13.56 грн |
| 9000+ | 12.96 грн |
| 15000+ | 11.54 грн |
| 21000+ | 11.17 грн |
| 30000+ | 11.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC5612 onsemi
Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDC5612 за ціною від 11.73 грн до 62.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC5612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC5612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC5612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC5612 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 53699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC5612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC5612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC5612 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-6 N-CH 60V |
на замовлення 17354 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC5612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC5612 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 32587 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC5612 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V |
на замовлення 45623 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC5612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
FDC5612 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| FDC5612 | Виробник : On Semiconductor |
MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |