Продукція > ONSEMI > FDC5612
FDC5612

FDC5612 onsemi

fdc5612-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.08 грн
6000+13.37 грн
9000+12.78 грн
15000+11.38 грн
21000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5612 onsemi

Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.

Інші пропозиції FDC5612 за ціною від 15.77 грн до 61.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.89 грн
6000+18.40 грн
9000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.19 грн
6000+18.69 грн
9000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.23 грн
6000+18.72 грн
9000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+41.06 грн
21+36.42 грн
100+27.55 грн
500+22.89 грн
1000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+43.31 грн
462+30.42 грн
471+29.86 грн
565+23.98 грн
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+51.29 грн
18+43.74 грн
25+43.31 грн
100+29.33 грн
250+26.66 грн
500+21.31 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ONSEMI FDC5612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+55.88 грн
11+39.70 грн
12+34.34 грн
50+25.20 грн
100+22.65 грн
500+18.45 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 onsemi fdc5612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 45623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.58 грн
10+37.14 грн
100+24.19 грн
500+17.46 грн
1000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 onsemi / Fairchild FDC5612-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
на замовлення 17354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 22062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 22062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.89 грн
6000+18.40 грн
9000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.19 грн
6000+18.69 грн
9000+17.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.23 грн
6000+18.72 грн
9000+17.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+41.06 грн
21+36.42 грн
100+27.55 грн
500+22.89 грн
1000+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
325+43.31 грн
462+30.42 грн
471+29.86 грн
565+23.98 грн
1000+16.83 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+51.29 грн
18+43.74 грн
25+43.31 грн
100+29.33 грн
250+26.66 грн
500+21.31 грн
1000+16.16 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612.pdf
FDC5612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Case: SuperSOT-6
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.3A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 94mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+55.88 грн
11+39.70 грн
12+34.34 грн
50+25.20 грн
100+22.65 грн
500+18.45 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 45623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+61.58 грн
10+37.14 грн
100+24.19 грн
500+17.46 грн
1000+15.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612-D.PDF
FDC5612
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
на замовлення 17354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC5612
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 22062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC5612
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 22062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.