Продукція > ONSEMI > FDC5612
FDC5612

FDC5612 onsemi

FDC5612-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.36 грн
6000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5612 onsemi

Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm.

Інші пропозиції FDC5612 за ціною від 14.83 грн до 84.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.65 грн
6000+19.15 грн
9000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.97 грн
6000+19.44 грн
9000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.00 грн
6000+19.48 грн
9000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.49 грн
29+27.51 грн
50+27.29 грн
100+23.04 грн
500+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 11920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.19 грн
27+29.26 грн
50+28.97 грн
100+23.43 грн
500+19.07 грн
3000+15.73 грн
6000+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+45.06 грн
462+31.65 грн
471+31.06 грн
565+24.95 грн
1000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+45.20 грн
331+44.21 грн
464+31.54 грн
577+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+47.60 грн
505+29.00 грн
3000+28.17 грн
6000+25.04 грн
9000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+53.36 грн
18+45.50 грн
25+45.06 грн
100+30.52 грн
250+27.74 грн
500+22.17 грн
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.44 грн
18+45.56 грн
50+44.57 грн
100+30.67 грн
500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 onsemi FDC5612-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.82 грн
10+44.11 грн
50+32.53 грн
100+27.02 грн
500+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ONSEMI FDC5612.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 4.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 94mΩ
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.88 грн
9+47.25 грн
11+38.37 грн
50+25.64 грн
51+18.85 грн
140+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 onsemi FDC5612-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+84.19 грн
10+45.51 грн
100+29.84 грн
500+21.98 грн
1000+19.53 грн
3000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 16737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 16737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.65 грн
6000+19.15 грн
9000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.97 грн
6000+19.44 грн
9000+17.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.00 грн
6000+19.48 грн
9000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+29.49 грн
29+27.51 грн
50+27.29 грн
100+23.04 грн
500+19.29 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 11920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+32.19 грн
27+29.26 грн
50+28.97 грн
100+23.43 грн
500+19.07 грн
3000+15.73 грн
6000+14.83 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
325+45.06 грн
462+31.65 грн
471+31.06 грн
565+24.95 грн
1000+17.51 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
324+45.20 грн
331+44.21 грн
464+31.54 грн
577+24.44 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
308+47.60 грн
505+29.00 грн
3000+28.17 грн
6000+25.04 грн
9000+23.12 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+53.36 грн
18+45.50 грн
25+45.06 грн
100+30.52 грн
250+27.74 грн
500+22.17 грн
1000+16.81 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 fdc5612-d.pdf
FDC5612
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+56.44 грн
18+45.56 грн
50+44.57 грн
100+30.67 грн
500+22.81 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612-D.PDF
FDC5612
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.82 грн
10+44.11 грн
50+32.53 грн
100+27.02 грн
500+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612.pdf
FDC5612
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.3A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Drain current: 4.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 94mΩ
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+74.88 грн
9+47.25 грн
11+38.37 грн
50+25.64 грн
51+18.85 грн
140+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612-D.PDF
FDC5612
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
на замовлення 605 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+84.19 грн
10+45.51 грн
100+29.84 грн
500+21.98 грн
1000+19.53 грн
3000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC5612
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 16737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC5612
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
на замовлення 16737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.