Продукція > ONSEMI > FDC5612
FDC5612

FDC5612 onsemi

fdc5612-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.09 грн
6000+13.37 грн
9000+12.79 грн
15000+11.38 грн
21000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5612 onsemi

Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC5612 за ціною від 11.57 грн до 61.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.51 грн
6000+17.05 грн
9000+15.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.47 грн
6000+17.99 грн
9000+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.80 грн
6000+18.30 грн
9000+16.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 53699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+24.19 грн
500+18.09 грн
1500+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+39.51 грн
462+27.76 грн
471+27.24 грн
565+21.88 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+40.14 грн
21+35.60 грн
100+26.93 грн
500+22.37 грн
1000+17.79 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : onsemi / Fairchild FDC5612-D.PDF MOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
на замовлення 17354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.35 грн
10+34.55 грн
100+20.46 грн
500+17.45 грн
1000+15.60 грн
3000+12.05 грн
6000+11.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+50.14 грн
18+42.76 грн
25+42.34 грн
100+28.68 грн
250+26.06 грн
500+20.84 грн
1000+15.80 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ONSEMI fdc5612-d.pdf Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 32587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+53.90 грн
50+41.60 грн
100+28.35 грн
500+21.21 грн
1500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : onsemi fdc5612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 45623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.60 грн
10+37.15 грн
100+24.20 грн
500+17.47 грн
1000+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.