Продукція > ONSEMI > FDC5612
FDC5612

FDC5612 onsemi

fdc5612-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.23 грн
6000+13.48 грн
9000+13.29 грн
21000+12.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5612 onsemi

Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC5612 за ціною від 13.03 грн до 52.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.23 грн
6000+14.84 грн
9000+13.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.51 грн
6000+15.10 грн
9000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor 3666839020785396fdc5612.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 1821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.67 грн
6000+16.23 грн
9000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 55537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.41 грн
500+20.31 грн
1500+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+33.11 грн
21+29.37 грн
100+22.21 грн
500+18.46 грн
1000+14.67 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
325+37.61 грн
462+26.42 грн
471+25.93 грн
565+20.82 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 325
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+41.36 грн
18+35.27 грн
25+34.93 грн
100+23.66 грн
250+21.50 грн
500+17.19 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178451-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC5612 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.3 A, 0.055 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 55537 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+44.15 грн
50+37.80 грн
100+26.41 грн
500+20.31 грн
1500+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : onsemi fdc5612-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 4.3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 26163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+47.75 грн
10+36.71 грн
100+24.73 грн
500+19.02 грн
1000+15.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : onsemi / Fairchild fdc5612-d.pdf MOSFETs SSOT-6 N-CH 60V
на замовлення 27885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.18 грн
10+40.95 грн
100+23.98 грн
500+18.69 грн
1000+15.74 грн
3000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor 3666839020785396fdc5612.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 FDC5612 Виробник : ON Semiconductor fdc5612-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5612 Виробник : ON Semiconductor 3666839020785396fdc5612.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 4.3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.