Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC5614P
FDC5614P

FDC5614P ON Semiconductor

fdc5614p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5614P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC5614P за ціною від 11.34 грн до 65.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC5614P FDC5614P Виробник : onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.62 грн
6000+13.84 грн
9000+13.02 грн
15000+11.76 грн
21000+11.38 грн
30000+11.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.24 грн
6000+16.13 грн
9000+15.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.19 грн
6000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI fdc5614p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.28 грн
9000+15.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.35 грн
6000+17.17 грн
9000+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.59 грн
6000+17.63 грн
9000+17.37 грн
12000+16.49 грн
27000+15.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.49 грн
6000+17.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
433+28.23 грн
543+22.49 грн
652+18.72 грн
1000+16.65 грн
3000+13.52 грн
6000+12.18 грн
9000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.70 грн
500+22.61 грн
1500+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
356+34.37 грн
358+34.10 грн
361+33.83 грн
500+32.36 грн
1000+29.73 грн
Мінімальне замовлення: 356
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+35.32 грн
24+30.25 грн
100+24.10 грн
500+19.34 грн
1000+16.52 грн
3000+13.91 грн
6000+13.05 грн
9000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+37.10 грн
25+36.82 грн
100+35.23 грн
250+32.36 грн
500+30.82 грн
1000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+42.63 грн
20+35.19 грн
100+26.85 грн
500+20.96 грн
1000+17.73 грн
3000+14.72 грн
6000+13.71 грн
9000+12.85 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A48AEDAD788F0A50&compId=FDC5614P-DTE.pdf?ci_sign=15f5eeeaa1d3b2143fa6d597203868db13d69957 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.26 грн
10+41.26 грн
11+36.73 грн
50+25.86 грн
59+16.03 грн
160+15.15 грн
1500+14.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : onsemi / Fairchild FDC5614P-D.PDF MOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 86901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+58.82 грн
10+43.01 грн
100+24.60 грн
500+18.89 грн
1000+17.06 грн
3000+14.70 грн
6000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A48AEDAD788F0A50&compId=FDC5614P-DTE.pdf?ci_sign=15f5eeeaa1d3b2143fa6d597203868db13d69957 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2688 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+61.52 грн
6+51.41 грн
10+44.08 грн
50+31.04 грн
59+19.23 грн
160+18.18 грн
1500+17.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+62.20 грн
16+46.44 грн
100+32.02 грн
500+23.60 грн
1000+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 30313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.26 грн
10+38.64 грн
100+25.13 грн
500+18.11 грн
1000+16.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI fdc5614p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+65.45 грн
50+48.62 грн
100+31.87 грн
500+22.77 грн
1500+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.