Продукція > ONSEMI > FDC5614P
FDC5614P

FDC5614P onsemi

fdc5614p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+15.45 грн
6000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5614P onsemi

Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.

Інші пропозиції FDC5614P за ціною від 11.48 грн до 71.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
733+19.18 грн
809+17.38 грн
875+16.06 грн
1000+14.97 грн
3000+13.06 грн
6000+12.19 грн
9000+11.51 грн
24000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 733 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.87 грн
6000+18.55 грн
9000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.87 грн
6000+18.55 грн
9000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.29 грн
40+19.18 грн
100+17.38 грн
500+15.49 грн
1000+13.86 грн
3000+12.54 грн
6000+12.19 грн
9000+11.51 грн
24000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 41800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1412+24.89 грн
10000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 1412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
481+29.25 грн
1000+26.52 грн
3000+24.91 грн
6000+22.93 грн
9000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+47.46 грн
424+33.20 грн
535+26.26 грн
1000+23.08 грн
3000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ONSEMI FDC5614P-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+64.75 грн
9+46.94 грн
11+40.85 грн
50+29.24 грн
100+25.37 грн
500+18.86 грн
1000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.74 грн
10+40.69 грн
100+26.52 грн
500+19.14 грн
1000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.96 грн
15+52.70 грн
100+35.03 грн
500+26.07 грн
1000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P onsemi fdc5614p-d.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 105408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 105408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
733+19.18 грн
809+17.38 грн
875+16.06 грн
1000+14.97 грн
3000+13.06 грн
6000+12.19 грн
9000+11.51 грн
24000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 733 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.87 грн
6000+18.55 грн
9000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+19.87 грн
6000+18.55 грн
9000+17.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 379230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+20.29 грн
40+19.18 грн
100+17.38 грн
500+15.49 грн
1000+13.86 грн
3000+12.54 грн
6000+12.19 грн
9000+11.51 грн
24000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 41800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1412+24.89 грн
10000+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 1412 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
481+29.25 грн
1000+26.52 грн
3000+24.91 грн
6000+22.93 грн
9000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 481 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
297+47.46 грн
424+33.20 грн
535+26.26 грн
1000+23.08 грн
3000+18.46 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P-DTE.pdf
FDC5614P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 24nC
Technology: PowerTrench®
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+64.75 грн
9+46.94 грн
11+40.85 грн
50+29.24 грн
100+25.37 грн
500+18.86 грн
1000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+67.74 грн
10+40.69 грн
100+26.52 грн
500+19.14 грн
1000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+71.96 грн
15+52.70 грн
100+35.03 грн
500+26.07 грн
1000+21.83 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P 2304101.pdf
FDC5614P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 105408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P 2304101.pdf
FDC5614P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 105408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P 2304101.pdf
FDC5614P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.