на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC5614P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції FDC5614P за ціною від 11.72 грн до 67.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC5614P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V |
на замовлення 20656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 384000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V |
на замовлення 20804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC5614P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-6 P-CH |
на замовлення 73284 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 19891 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
| FDC5614P | Виробник : ONSEMI |
FDC5614P SMD P channel transistors |
на замовлення 2532 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
|
FDC5614P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |



