Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC5614P
FDC5614P

FDC5614P ON Semiconductor

fdc5614p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5614P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDC5614P за ціною від 11.78 грн до 77.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC5614P FDC5614P Виробник : onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.25 грн
6000+14.40 грн
9000+13.76 грн
15000+12.24 грн
21000+11.85 грн
30000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.90 грн
6000+16.75 грн
9000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.89 грн
6000+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.05 грн
6000+17.83 грн
9000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.30 грн
6000+18.31 грн
9000+18.04 грн
12000+17.12 грн
27000+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.24 грн
6000+18.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI fdc5614p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+22.01 грн
9000+21.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
433+29.32 грн
543+23.36 грн
652+19.44 грн
1000+17.29 грн
3000+14.04 грн
6000+12.65 грн
9000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.92 грн
500+23.48 грн
1500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
356+35.69 грн
358+35.41 грн
361+35.13 грн
500+33.61 грн
1000+30.88 грн
Мінімальне замовлення: 356
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+36.68 грн
24+31.42 грн
100+25.03 грн
500+20.08 грн
1000+17.16 грн
3000+14.45 грн
6000+13.55 грн
9000+12.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+38.53 грн
25+38.24 грн
100+36.59 грн
250+33.61 грн
500+32.01 грн
1000+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+44.27 грн
20+36.55 грн
100+27.89 грн
500+21.77 грн
1000+18.41 грн
3000+15.28 грн
6000+14.24 грн
9000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : onsemi / Fairchild FDC5614P-D.PDF MOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 73284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.09 грн
10+44.66 грн
100+25.55 грн
500+19.62 грн
1000+17.72 грн
3000+15.27 грн
6000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+64.60 грн
16+48.23 грн
100+33.25 грн
500+24.51 грн
1000+20.30 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 32087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+66.74 грн
10+40.29 грн
100+26.15 грн
500+18.85 грн
1000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI fdc5614p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+67.71 грн
50+50.22 грн
100+33.01 грн
500+23.57 грн
1500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P Виробник : ONSEMI fdc5614p-d.pdf FDC5614P SMD P channel transistors
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.63 грн
59+19.97 грн
162+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.