FDC5614P onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.49 грн |
| 6000+ | 16.40 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC5614P onsemi
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.
Інші пропозиції FDC5614P за ціною від 11.56 грн до 86.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC5614P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 323960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 323960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 14800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V |
на замовлення 163274 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
FDC5614P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -3A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Gate charge: 24nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 972 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
FDC5614P | onsemi |
MOSFETs SSOT-6 P-CH |
на замовлення 89628 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
FDC5614P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
на замовлення 97347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
FDC5614P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
на замовлення 97347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
FDC5614P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 323960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 748+ | 18.92 грн |
| 809+ | 17.50 грн |
| 875+ | 16.17 грн |
| 1000+ | 15.07 грн |
| 3000+ | 13.21 грн |
| 6000+ | 12.27 грн |
| 9000+ | 11.59 грн |
| 24000+ | 11.56 грн |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 323960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 20.42 грн |
| 40+ | 18.92 грн |
| 100+ | 17.50 грн |
| 500+ | 15.59 грн |
| 1000+ | 13.95 грн |
| 3000+ | 12.68 грн |
| 6000+ | 12.27 грн |
| 9000+ | 11.59 грн |
| 24000+ | 11.56 грн |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.05 грн |
| 6000+ | 19.39 грн |
| 9000+ | 18.97 грн |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.05 грн |
| 6000+ | 19.39 грн |
| 9000+ | 18.97 грн |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1345+ | 26.31 грн |
| 10000+ | 23.46 грн |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 324+ | 43.77 грн |
| 426+ | 33.24 грн |
| 539+ | 26.28 грн |
| 1000+ | 23.09 грн |
| 3000+ | 18.66 грн |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 321+ | 44.11 грн |
| 1000+ | 25.85 грн |
| 3000+ | 25.10 грн |
| 6000+ | 23.17 грн |
| 9000+ | 21.40 грн |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 297+ | 47.78 грн |
| 424+ | 33.43 грн |
| 535+ | 26.44 грн |
| 1000+ | 23.23 грн |
| 3000+ | 18.59 грн |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 13+ | 62.08 грн |
| 18+ | 44.12 грн |
| 100+ | 33.51 грн |
| 500+ | 25.55 грн |
| 1000+ | 21.56 грн |
| 3000+ | 18.06 грн |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 72.44 грн |
| 15+ | 53.06 грн |
| 100+ | 35.26 грн |
| 500+ | 26.25 грн |
| 1000+ | 21.98 грн |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 163274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.25 грн |
| 10+ | 45.29 грн |
| 50+ | 33.41 грн |
| 100+ | 27.73 грн |
| 500+ | 21.36 грн |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PowerTrench®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 24nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 972 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 86.70 грн |
| 17+ | 24.82 грн |
| 18+ | 23.65 грн |
| 100+ | 20.21 грн |
| 500+ | 16.77 грн |
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 P-CH
MOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 89628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 97347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 97347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC5614P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)





