Продукція > ONSEMI > FDC5614P
FDC5614P

FDC5614P onsemi

FDC5614P-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+17.60 грн
6000+15.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5614P onsemi

Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.

Інші пропозиції FDC5614P за ціною від 11.63 грн до 82.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 323960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
748+19.05 грн
809+17.62 грн
875+16.28 грн
1000+15.17 грн
3000+13.30 грн
6000+12.35 грн
9000+11.67 грн
24000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 748 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 323960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.56 грн
40+19.05 грн
100+17.62 грн
500+15.70 грн
1000+14.04 грн
3000+12.77 грн
6000+12.35 грн
9000+11.67 грн
24000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.20 грн
6000+19.52 грн
9000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.20 грн
6000+19.52 грн
9000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1345+26.48 грн
10000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 1345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
324+44.06 грн
426+33.46 грн
539+26.45 грн
1000+23.25 грн
3000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
321+44.40 грн
1000+26.03 грн
3000+25.27 грн
6000+23.32 грн
9000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+48.10 грн
424+33.65 грн
535+26.62 грн
1000+23.39 грн
3000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ONSEMI FDC5614P-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 24nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.19Ω
на замовлення 552 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.55 грн
11+38.79 грн
13+33.59 грн
50+25.58 грн
57+16.67 грн
156+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.50 грн
18+44.41 грн
100+33.73 грн
500+25.72 грн
1000+21.70 грн
3000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P onsemi FDC5614P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 56582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.73 грн
10+43.15 грн
50+31.80 грн
100+26.40 грн
500+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.93 грн
15+53.41 грн
100+35.50 грн
500+26.42 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P onsemi FDC5614P-D.PDF MOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 32425 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+82.93 грн
10+50.71 грн
100+28.96 грн
500+22.74 грн
1000+19.97 грн
3000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 80260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 80260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P ON-Semiconductor FDC5614P-D.PDF P-MOSFET 3A 60V 0.8W 0.105Ω FDC5614P .564 TFDC5614P
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 323960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
748+19.05 грн
809+17.62 грн
875+16.28 грн
1000+15.17 грн
3000+13.30 грн
6000+12.35 грн
9000+11.67 грн
24000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 748 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 323960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
37+20.56 грн
40+19.05 грн
100+17.62 грн
500+15.70 грн
1000+14.04 грн
3000+12.77 грн
6000+12.35 грн
9000+11.67 грн
24000+11.63 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.20 грн
6000+19.52 грн
9000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+21.20 грн
6000+19.52 грн
9000+19.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1345+26.48 грн
10000+23.62 грн
Мінімальне замовлення: 1345 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
324+44.06 грн
426+33.46 грн
539+26.45 грн
1000+23.25 грн
3000+18.78 грн
Мінімальне замовлення: 324 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 14800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
321+44.40 грн
1000+26.03 грн
3000+25.27 грн
6000+23.32 грн
9000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 321 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
297+48.10 грн
424+33.65 грн
535+26.62 грн
1000+23.39 грн
3000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P-DTE.pdf
FDC5614P
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -3A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.6W
Gate charge: 24nC
Polarisation: unipolar
Technology: PowerTrench®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -60V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: SuperSOT-6
On-state resistance: 0.19Ω
на замовлення 552 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+59.55 грн
11+38.79 грн
13+33.59 грн
50+25.58 грн
57+16.67 грн
156+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+62.50 грн
18+44.41 грн
100+33.73 грн
500+25.72 грн
1000+21.70 грн
3000+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P-D.PDF
FDC5614P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 56582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.73 грн
10+43.15 грн
50+31.80 грн
100+26.40 грн
500+20.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P fdc5614p-d.pdf
FDC5614P
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+72.93 грн
15+53.41 грн
100+35.50 грн
500+26.42 грн
1000+22.13 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P-D.PDF
FDC5614P
Виробник: onsemi
MOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 32425 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+82.93 грн
10+50.71 грн
100+28.96 грн
500+22.74 грн
1000+19.97 грн
3000+17.62 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P 2304101.pdf
FDC5614P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 80260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P 2304101.pdf
FDC5614P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
на замовлення 80260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P-D.PDF
Виробник: ON-Semiconductor
P-MOSFET 3A 60V 0.8W 0.105Ω FDC5614P .564 TFDC5614P
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+14.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.