Продукція > ONSEMI > FDC5614P
FDC5614P

FDC5614P onsemi

fdc5614p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.00 грн
6000+13.29 грн
9000+12.70 грн
15000+11.30 грн
21000+10.93 грн
30000+10.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5614P onsemi

Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції FDC5614P за ціною від 12.22 грн до 66.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.36 грн
6000+17.18 грн
9000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.37 грн
6000+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.54 грн
6000+18.29 грн
9000+17.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.80 грн
6000+18.77 грн
9000+18.50 грн
12000+17.56 грн
27000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI fdc5614p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.31 грн
9000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.75 грн
6000+19.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
433+30.07 грн
543+23.95 грн
652+19.93 грн
1000+17.74 грн
3000+14.40 грн
6000+12.97 грн
9000+12.22 грн
Мінімальне замовлення: 433
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI 2304101.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+30.38 грн
500+21.67 грн
1500+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
356+36.60 грн
358+36.32 грн
361+36.03 грн
500+34.47 грн
1000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 356
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 384000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+37.62 грн
24+32.22 грн
100+25.66 грн
500+20.60 грн
1000+17.59 грн
3000+14.81 грн
6000+13.90 грн
9000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+39.51 грн
25+39.22 грн
100+37.52 грн
250+34.47 грн
500+32.83 грн
1000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+45.40 грн
20+37.48 грн
100+28.60 грн
500+22.32 грн
1000+18.88 грн
3000+15.67 грн
6000+14.61 грн
9000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : onsemi / Fairchild FDC5614P-D.PDF MOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 73284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.22 грн
10+39.64 грн
100+22.67 грн
500+17.41 грн
1000+15.72 грн
3000+13.55 грн
6000+12.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : onsemi fdc5614p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 759 pF @ 30 V
на замовлення 32087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.60 грн
10+37.19 грн
100+24.14 грн
500+17.40 грн
1000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ONSEMI fdc5614p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC5614P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3 A, 0.105 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 35625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+62.49 грн
50+46.36 грн
100+30.47 грн
500+21.75 грн
1500+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+66.25 грн
16+49.46 грн
100+34.10 грн
500+25.13 грн
1000+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5614P FDC5614P Виробник : ON Semiconductor fdc5614p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 60V 3A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.