Продукція > ONSEMI > FDC5661N
FDC5661N

FDC5661N onsemi

fdc5661n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+15.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5661N onsemi

Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-23-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDC5661N за ціною від 14.35 грн до 46.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC5661N FDC5661N Виробник : onsemi fdc5661n-d.pdf Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.56 грн
10+36.99 грн
25+34.75 грн
100+24.73 грн
250+21.05 грн
500+20.00 грн
1000+15.01 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N Виробник : onsemi FDC5661N_D-3150121.pdf MOSFET FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.04 грн
10+40.50 грн
100+24.01 грн
500+20.06 грн
1000+17.06 грн
3000+15.45 грн
6000+14.35 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N Виробник : ON Semiconductor truese_nods.pdf FET Power SM Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N Виробник : ONSEMI fdc5661n-d.pdf FDC5661N SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N Виробник : ON Semiconductor FDC5661N_F085_D-2312057.pdf MOSFET FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.