Продукція > ONSEMI > FDC5661N
FDC5661N

FDC5661N onsemi

fdc5661n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.96 грн
20+15.99 грн
25+14.16 грн
100+11.47 грн
250+10.59 грн
500+10.06 грн
1000+9.47 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC5661N onsemi

Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: TSOT-23-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FDC5661N за ціною від 9.93 грн до 26.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC5661N Виробник : onsemi FDC5661N-D.PDF MOSFETs FET 60V 500 MOHM SSOT6
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+26.02 грн
23+15.72 грн
100+10.92 грн
500+10.39 грн
1000+9.93 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N Виробник : ON Semiconductor truese_nods.pdf FET Power SM Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N FDC5661N Виробник : onsemi fdc5661n-d.pdf Description: FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 763 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC5661N Виробник : ON Semiconductor FDC5661N_F085_D-2312057.pdf MOSFET FET 60V 50.0 MOHM SSOT6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.