Продукція > ONSEMI > FDC602P
FDC602P

FDC602P ONSEMI

ONSM-S-A0003586698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 22110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+28.78 грн
500+21.38 грн
1500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC602P ONSEMI

Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.

Інші пропозиції FDC602P за ціною від 13.25 грн до 70.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDC602P FDC602P onsemi / Fairchild FDC602P-D.pdf MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.71 грн
10+36.72 грн
100+23.40 грн
500+18.82 грн
1000+16.77 грн
3000+14.03 грн
6000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P onsemi fdc602p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.93 грн
100+26.70 грн
500+19.31 грн
1000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P onsemi fdc602p-d.pdf MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.72 грн
10+43.45 грн
100+24.67 грн
500+19.03 грн
1000+17.20 грн
3000+14.59 грн
6000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P ONSEMI ONSM-S-A0003586698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 22110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.72 грн
50+44.08 грн
100+28.78 грн
500+21.38 грн
1500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P-D.pdf
FDC602P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+58.71 грн
10+36.72 грн
100+23.40 грн
500+18.82 грн
1000+16.77 грн
3000+14.03 грн
6000+13.25 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P fdc602p-d.pdf
FDC602P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.19 грн
10+40.93 грн
100+26.70 грн
500+19.31 грн
1000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P fdc602p-d.pdf
FDC602P
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+70.72 грн
10+43.45 грн
100+24.67 грн
500+19.03 грн
1000+17.20 грн
3000+14.59 грн
6000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P ONSM-S-A0003586698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC602P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 22110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
12+70.72 грн
50+44.08 грн
100+28.78 грн
500+21.38 грн
1500+16.42 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.