Продукція > ON SEMICONDUCTOR > FDC602P
FDC602P

FDC602P ON Semiconductor

fdc602p-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC602P ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції FDC602P за ціною від 13.70 грн до 70.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC602P FDC602P Виробник : ON Semiconductor 3653169650871456fdc602p.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P Виробник : onsemi fdc602p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.08 грн
6000+15.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P Виробник : ON Semiconductor fdc602p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+17.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P Виробник : ON Semiconductor fdc602p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P Виробник : ON Semiconductor fdc602p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+20.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P Виробник : ON Semiconductor fdc602p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 38449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1331+23.20 грн
10000+20.69 грн
Мінімальне замовлення: 1331
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003586698-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.28 грн
500+23.89 грн
1000+19.12 грн
5000+16.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P Виробник : ONSEMI fdc602p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.42 грн
13+32.30 грн
50+24.76 грн
100+22.30 грн
500+18.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P Виробник : ONSEMI fdc602p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 35800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+59.14 грн
23+37.52 грн
100+27.18 грн
500+20.32 грн
1000+16.34 грн
5000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P Виробник : ONSEMI fdc602p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±12V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.51 грн
10+40.25 грн
50+29.71 грн
100+26.76 грн
500+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P Виробник : onsemi / Fairchild FDC602P-D.pdf MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 4794 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.46 грн
10+39.69 грн
100+25.29 грн
500+20.34 грн
1000+18.13 грн
3000+15.16 грн
6000+14.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P Виробник : ON Semiconductor fdc602p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
192+64.54 грн
278+44.54 грн
500+42.31 грн
1000+29.69 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P Виробник : onsemi fdc602p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 10 V
на замовлення 6388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.05 грн
10+41.82 грн
100+27.29 грн
500+19.74 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC602P FDC602P Виробник : ON Semiconductor fdc602p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.