| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 17.59 грн |
| 6000+ | 15.61 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
3000 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC602P onsemi
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.
Інші пропозиції FDC602P за ціною від 18.66 грн до 73.92 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FDC602P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC602P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC602P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC602P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 11389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC602P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC602P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC602P | ONSEMI |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -5.5A Power dissipation: 1.6W Case: SuperSOT-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 53mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 2771 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC602P | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6 |
на замовлення 12888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
FDC602P | ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FDC602P | onsemi |
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V |
на замовлення 9862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDC602P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
на замовлення 22110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
FDC602P | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV Verlustleistung: 1.6W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
на замовлення 22110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |
| FDC602P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 18.66 грн |
| FDC602P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.65 грн |
| FDC602P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 21.67 грн |
| FDC602P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 11389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1331+ | 26.57 грн |
| 10000+ | 23.70 грн |
| FDC602P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 64.76 грн |
| FDC602P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 219+ | 64.76 грн |
| FDC602P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.5A; 1.6W; SuperSOT-6
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SuperSOT-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 69.54 грн |
| 9+ | 48.47 грн |
| 11+ | 41.76 грн |
| 50+ | 29.86 грн |
| 100+ | 26.17 грн |
| 500+ | 19.96 грн |
| FDC602P |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
на замовлення 12888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 72.11 грн |
| 10+ | 43.02 грн |
| 50+ | 31.75 грн |
| 100+ | 26.36 грн |
| 500+ | 20.32 грн |
| FDC602P |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 192+ | 73.92 грн |
| 278+ | 51.01 грн |
| 500+ | 48.47 грн |
| 1000+ | 34.01 грн |
| FDC602P |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
MOSFETs P-Ch PowerTrench Specified 2.5V
на замовлення 9862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| FDC602P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 22110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| FDC602P |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
Description: ONSEMI - FDC602P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.035 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 22110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






