Продукція > ONSEMI > FDC604P
FDC604P

FDC604P onsemi

fdc604p-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+14.03 грн
6000+12.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC604P onsemi

Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, Verlustleistung: 1.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm.

Інші пропозиції FDC604P за ціною від 11.92 грн до 62.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
FDC604P FDC604P ONSEMI ONSM-S-A0015183132-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.31 грн
500+19.03 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P FDC604P onsemi / Fairchild FDC604P-D.pdf MOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.38 грн
10+37.71 грн
100+21.28 грн
500+16.32 грн
1000+14.60 грн
3000+12.67 грн
6000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P FDC604P onsemi fdc604p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.12 грн
10+34.92 грн
100+22.66 грн
500+16.31 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P FDC604P ONSEMI fdc604p-d.pdf Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+62.76 грн
21+39.06 грн
100+25.31 грн
500+19.03 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P ONSM-S-A0015183132-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FDC604P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+25.31 грн
500+19.03 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P FDC604P-D.pdf
FDC604P
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SSOT-6 P-CH
на замовлення 7738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
7+48.38 грн
10+37.71 грн
100+21.28 грн
500+16.32 грн
1000+14.60 грн
3000+12.67 грн
6000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P fdc604p-d.pdf
FDC604P
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+58.12 грн
10+34.92 грн
100+22.66 грн
500+16.31 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC604P fdc604p-d.pdf
FDC604P
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
13+62.76 грн
21+39.06 грн
100+25.31 грн
500+19.03 грн
1000+15.98 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.