на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 14.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC604P ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції FDC604P за ціною від 11.93 грн до 71.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC604P | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDC604P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC604P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC604P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDC604P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 15972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC604P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC604P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC604P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
FDC604P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SSOT-6 P-CH |
на замовлення 7738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC604P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC604P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 5.5 A, 0.033 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC604P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1926 pF @ 10 V |
на замовлення 8885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
FDC604P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| FDC604P | Виробник : ONSEMI |
FDC604P SMD P channel transistors |
на замовлення 2508 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
|
FDC604P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
FDC604P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
FDC604P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.5A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |