FDC606P onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 20.79 грн |
| 6000+ | 18.50 грн |
| 9000+ | 17.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FDC606P onsemi
Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FDC606P за ціною від 17.97 грн до 94.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FDC606P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC606P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC606P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC606P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC606P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC606P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
FDC606P | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs SuperSOT-3 |
на замовлення 7589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC606P | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SuperSOT™-6 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V |
на замовлення 9829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC606P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 12V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SuperSOT Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
FDC606P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| FDC606P | Виробник : ONSEMI |
FDC606P SMD P channel transistors |
на замовлення 2175 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
|
FDC606P Код товару: 128958
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
FDC606P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R |
товару немає в наявності |