FDC606P


FDC606P-D.PDF
Код товару: 128958
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції FDC606P за ціною від 16.72 грн до 80.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
FDC606P FDC606P onsemi FDC606P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.80 грн
6000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1117+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 1117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P onsemi FDC606P-D.PDF Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 60414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.41 грн
10+48.40 грн
100+31.76 грн
500+23.09 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P onsemi FDC606P-D.PDF MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 9421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P onsemi / Fairchild FDC606P-D.PDF MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 7589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P ONSEMI ONSM-S-A0013178594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P ONSEMI ONSM-S-A0013178594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.80 грн
6000+16.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P fdc606p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
455+31.03 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P fdc606p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1117+31.61 грн
Мінімальне замовлення: 1117 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P fdc606p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P fdc606p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P-D.PDF
Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 60414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.41 грн
10+48.40 грн
100+31.76 грн
500+23.09 грн
1000+20.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P-D.PDF
Виробник: onsemi
MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 9421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P-D.PDF
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 7589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P fdc606p-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P ONSM-S-A0013178594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P ONSM-S-A0013178594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
Verlustleistung: 1.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.