Продукція > ONSEMI > FDC606P
FDC606P

FDC606P onsemi

fdc606p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 20500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+21.80 грн
6000+17.88 грн
9000+17.04 грн
15000+15.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC606P onsemi

Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC606P за ціною від 17.18 грн до 90.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
455+27.21 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1117+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 1117
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+31.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+33.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+43.01 грн
500+32.06 грн
1500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.68 грн
10+40.25 грн
11+37.15 грн
50+31.34 грн
100+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : onsemi fdc606p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 20738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+65.26 грн
10+48.37 грн
100+31.73 грн
500+24.02 грн
1000+21.89 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : onsemi / Fairchild FDC606P-D.PDF MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 7589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+70.47 грн
10+53.57 грн
100+30.62 грн
500+24.67 грн
1000+22.45 грн
3000+20.16 грн
6000+17.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BECE01DA73A85E28&compId=FDC606P.pdf?ci_sign=b87d637f82a96baf8d2b47514ba3900a34ec204c Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 53mΩ
Gate-source voltage: ±8V
Power dissipation: 1.6W
Kind of channel: enhancement
Technology: PowerTrench®
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2175 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.02 грн
6+50.16 грн
10+44.58 грн
50+37.61 грн
100+37.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+90.81 грн
50+61.94 грн
100+43.01 грн
500+32.06 грн
1500+27.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P
Код товару: 128958
Додати до обраних Обраний товар

fdc606p-d.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.