Продукція > ONSEMI > FDC606P
FDC606P

FDC606P onsemi

fdc606p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+25.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC606P onsemi

Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.6W, Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції FDC606P за ціною від 23.78 грн до 92.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 5100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
914+33.32 грн
1000+31.47 грн
Мінімальне замовлення: 914
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+41.33 грн
500+30.81 грн
1500+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : onsemi / Fairchild fdc606p-d.pdf MOSFETs SuperSOT-3
на замовлення 5542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.21 грн
10+52.50 грн
100+31.12 грн
500+25.98 грн
1000+24.59 грн
3000+24.44 грн
6000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ONSEMI FDC606P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.39 грн
10+49.23 грн
28+32.80 грн
76+31.04 грн
500+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.27 грн
50+59.52 грн
100+41.33 грн
500+30.81 грн
1500+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : onsemi fdc606p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 5713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.33 грн
10+56.19 грн
100+40.09 грн
500+29.43 грн
1000+26.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ONSEMI FDC606P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Case: SuperSOT-6
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+92.87 грн
10+61.35 грн
28+39.36 грн
76+37.25 грн
500+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P
Код товару: 128958
Додати до обраних Обраний товар

fdc606p-d.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.