Продукція > ONSEMI > FDC606P
FDC606P

FDC606P ONSEMI

ONSM-S-A0013178594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.6 грн
500+ 24.7 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FDC606P ONSEMI

Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V.

Інші пропозиції FDC606P за ціною від 21.32 грн до 68.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FDC606P FDC606P Виробник : onsemi / Fairchild FDC606P_D-2311844.pdf MOSFET SuperSOT-3
на замовлення 11960 шт:
термін постачання 184-193 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.19 грн
10+ 46.75 грн
100+ 32.75 грн
500+ 28.7 грн
1000+ 23.71 грн
3000+ 22.39 грн
6000+ 21.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
FDC606P FDC606P Виробник : onsemi fdc606p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.2 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDC606P FDC606P Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013178594-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FDC606P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.026 ohm, SuperSOT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 500mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
на замовлення 1519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+68.93 грн
14+ 54.17 грн
100+ 38.6 грн
500+ 24.7 грн
Мінімальне замовлення: 11
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDC606P
Код товару: 128958 		fdc606p-d.pdf Мікросхеми > Інші мікросхеми
товар відсутній
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC606P FDC606P Виробник : ON Semiconductor fdc606p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 12V 6A 6-Pin TSOT-23 T/R
товар відсутній
FDC606P FDC606P Виробник : ONSEMI FDC606P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FDC606P FDC606P Виробник : onsemi fdc606p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1699 pF @ 6 V
товар відсутній
FDC606P FDC606P Виробник : ONSEMI FDC606P.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -6A; 1.6W; SuperSOT-6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -6A
On-state resistance: 53mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SuperSOT-6
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 25nC
Technology: PowerTrench®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±8V
товар відсутній